| 主权项 |
1.一种在一积体电路(IC)电极上形成一凸体电极的方法,其包含:以一导线连接装置在一IC电极(104)上形成一球连接部(115);向上移动一连接细管(113);侧向移动该连接细管,然后向下移动;将一导线(101)连接于球连接部;及切断该导线,藉预设该连接细管之下降位于一比形成球连接位置更高的位置,使该导线除了该球连接部外,乃不能与该球连接部的周边接触。2.一种在一IC电极上形成一凸体电极的方法,其包含:以一导线连接装置在一IC电极(104)上形成一球连接部(115);向上移动一连接细管(113);侧向移动该连接细管,然后向下移动;将一导线(101)连接于球连接部;及切断该导线,藉着设置一连接细管的斜切角(107)不大于90度,使该球连接部具有一比该导线直径更大的高度,而令该导线除了该球连接部外,乃不能与该球连接部的周边接触。3.一种在一IC电极上形成一凸体电极的方法,其包含:以一导线连接装置在一IC电极(104)上形成一球连接部(115);向上移动一连接细管(113);侧向移动该连接细管,然后向下移动;将一导线(101)连接于球连接部;及切断该导线,藉着设置一连接细管的斜切直径(109)大于该球连接部的直径,使该导线除了该球连接部外,乃不能与该球连接部的周边接触。4.一种在一IC电极上形成一凸体电极的方法,其包含:以一导线连接装置在一IC电极(104)上形成一球连接部(115);向上移动一连接细管(113);侧向移动该连接细管,然后向下移动;将一导线(101)连接于球连接部;及切断该导线,藉使该连接细管之外半径部份的末端部具有在导线切割时可集中切割力的推拔厚度,而令该导线除了该球连接部外,乃不能与该球连接部的周边接触。5.一种在一IC电极上形成一凸体电极的方法,其包含:以一导线连接装置在一IC电极(104)上形成一球连接部(115);向上移动一连接细管(113);侧向移动该连接细管,然后向下移动;将一导线(101)连接于球连接部;及切断该导线,藉设一角度使该连接细管之外半径部份可固定地触接该球连接部的斜坡,而令该导线除了该球连接部外,乃不能与该球连接部的周边接触。6.一种在一IC电极上形成一凸体电极的方法,其包含:以一导线连接装置在一IC电极(104)上形成一球连接部(115);向上移动一连接细管(113);侧向移动该连接细管,然后向下移动;将一导线(101)连接于一球连接部;及切断该导线,藉使该连接细管接触该导线于该球连接部的中央部份上方,而令该导线除了该球连接部外,乃不能与该球连接部的周边接触。7.一种半导体元件,其中有一具有二突部(40.50)的凸体电极(3.300.310)乃以如申请专利范围第1至6项中任一项所界定的方法被连接至一个位于一半导体元件之一形成电路表面上的IC电极(2),而当该半导体元件被设置于一电路板上时,该二突部乃会触接或靠近在该电路板上之一电极。8.一种半导体元件,其中一凸体电极以如申请专利范围第1至6项中任一项所界定的方法被连接至一个位于一半导体元件之一形成电路表面上的IC电极(2);该凸体电极包含:一个第一突部(40),其包含一个由一次融化及凝结一导线所形成的部份,而该部分之周缘被连接于该电极(2);及一个第二突部(50),其系由该导线之一未融化部份所形成,从该第一突部延伸超过一平面区域,该平面区域系藉由将该第一突部投射至该电极(2)上至一大致与该电极等高之处而形成;该第一突部与第二突部于该半导体元件被装设在一电路板上时,会与该电路板上之一电极接触或靠近。9.如申请专利范围第8项之半导体元件,其中该第一突部设有一成型部(42)乃由以一细管形成该导线之一融化部份并将之凝固而被形成,及一导线料部(43)包含位在该融化部份附近的导线,并从该成型部之一顶部(41)向下延伸而被连接于该成型部。10.如申请专利范围第8项之半导体元件,其中该成型部具有一基部(421)被连接于该电极,及一突部(424)设于该基部的上方。11.如申请专利范围第9项之半导体元件,其中从该顶部向下延伸的该导线料部而非该成型部被连接于该电极(2)。12.如申请专利范围第8项之半导体元件,其中该第二突部乃朝向该半导体元件之一外端面侧延伸而不超出该外端面。13.如申请专利范围第8项之半导体元件,其中该第二突部乃朝向该半导体元件之外部延伸而超出该半导体元件之一外端面(1b)。14.如申请专利范围第8项之半导体元件,其中该第一突部与第二突部各在其顶部具有平坦表面部份(31a)。15.一种半导体装置,其中有一个位在一电路板上的电极(20)与一如申请专利范围第7项的半导体元件之一凸体电极互相导电连接。16.一种制造半导体元件的方法,其中一个凸体电极系以如申请专利范围第1至6项中任一项之方法被连接于一个位在一半导体元件之一形成电路表面上的IC电极(2),该方法包含:形成一个第一突部(40),其系含有一个由凝结一导线之一融化部份而形成的部份,且其周缘被连接于该电极(2);及形成一个第二突部(50),其系由该导线之一未融化部份所形成,并从该第一突部延伸超出一平面区域,该平面区域系由将该第一突部投射至该电极(2)上至一大致与该电极等高之处而形成;藉此,该第一突部与第二突部于该半导体元件被装设在一电路板上时,乃会与该电路板上之一电极接触或靠近。17.如申请专利范围第16项之制造半导体元件的方法,其中该第一突部之形成系以一细管将该导线之融化部份形成于一成型部(42)内,且将该融化部份附近的导线从该成型部之顶部(41)向下延伸,并将该导线连接于该成型部,而后形成一个导线料部(43)。18.如申请专利范围第17项之制造半导体元件的方法,其中在形成该导线料部之后,该导线料部而非该成型部被连接于该电极(2)。19.如申请专利范围第17项之制造半导体元件的方法,其中在该成型部形成后,于该第一突部形成之后,续接该成型部的导线乃连随着该细管在一平行于该成型部垂向上方之平面划出一近乎长方形的形状。20.如申请专利范围第16项之制造半导体元件的方法,其中在该融化部份被形成之后,该导线之一被加热再结晶的区域具有一长度延伸至该第二突部的一端。21.如申请专利范围第20项之制造半导体元件的方法,其中该再结晶区域的长度系由一被施加至该导线以形成该融化部份的电压施加时间来控制。22.如申请专利范围第16项之制造半导体元件的方法,其中当该第二突部被形成时,该第二突部之一端部乃延伸至该半导体元件的周缘侧边。23.如申请专利范围第16项之制造半导体元件的方法,其中当第二突部被形成时,该第二突部之一端部乃延伸超出该半导体元件的周缘而至该半导体元件的外部。24.如申请专利范围第16项之制造半导体元件的方法,其中形成一个具有该第一突部与第二突部的凸体电极,然后在该第一突部与第二突部的顶部各形成一个平坦表面部份(31a)。25.一种制造半导体装置的方法,其包含:以如申请专利范围第16项的方法来制造一个半导体元件;提供一个导电黏剂于该半导体元件之凸体电极的第一突部与第二突部之每一者上;及将该半导体元件之凸体电极导电连接至一个位在一电路板上的电极。26.如申请专利范围第25项之制造半导体装置的方法,其中于该导电黏剂被提供之前,在该第一突部与第二突部之每一者的顶部形成一个平坦表面部份(30a),然后将该导电黏剂布设于该平坦表面部份上。27.如申请专利范围第25项之制造半导体装置的方法,其中乃利用焊剂来取代该导电黏剂。28.一种制造半导体装置的方法,其包含:以如申请专利范围第23项之方法来制造一半导体元件;提供一导电黏剂于该半导体元件之凸体电极之第一突部与第二突部之每一者的顶部;将该半导体元件之凸体电极导电连接于一个位在一电路板上的电极;及藉以一影像摄取装置(25.26)来摄取向外延伸超出该半导体元件的周缘之向外突伸部(53)的影像,来检测介于该凸体电极与该电路板上的电极之间的导电连接性能以供作为一优劣测试。29.如申请专利范围第28项之制造半导体装置的方法,其中该导电连接之优劣测试系依据由该影像摄取装置所摄取之向外突伸部的摄取影像资料来判断该导电黏剂之存在或不存在而进行者。30.如申请专利范围第28项之制造半导体装置的方法,其中该导电连接之优劣测试非利用该影像摄取装置,而是藉令一接点与该向外突伸部导电接触来确认该半导体元件之操作而进行者。31.如申请专利范围第30项之制造半导体装置的方法,其中确认该半导体元件之操作系藉一个二极体特性测试来进行者。图式简单说明:第一图A、第一图B及第一图C系为本发明之一实施例在一IC电极上形成一凸体电极的方法之剖视图;第一图D系为本发明之该实施例在该IC电极上形成该凸体电极的方法之剖视图;第二图系该实施例中一连接细管的剖视图;第三图A系该实施例之一细管驱动装置的立体图;第三图B系供解释该实施例之操作的时间图表;第四图系一侧视图示出本发明之第七实施例在一半导体元件上形成一凸体形状的例子;第五图A、第五图B、第五图C、第五图D、第五图E及第五图F各图系供说明形成如第七图所示之凸体的操作示意图;第六图系为本发明之第八实施例供装设于一半导体元件之凸体的制造过程之流程图;第七图系为一侧视图示出如第四图所示之凸体形状的另一例子;第八图A、第八图B、第八图C及第八图D各图系供说明一程序其乃藉连接一具有如第七图所示之凸体的半导体元件于一电路板而形成一半导体装置;第九图系为一图表示出一凸体顶部的大小与传布于该凸体上之导电黏剂的传布置之间的关系;第十图系为第七图所示的凸体之一侧视图,其中该第二突部的另一端乃从该半导体元件之一端面突出;第十一图系为制造具有本发明之第九实施例的半导体元件之半导体装置的方法之流程图;第十二图示出一例用以测试配设有一半导体元件之半导体装置的方法,该半导体元件具有如第十图所示之凸体。第十三图示出另一例用以测试配设有一半导体元件之半导体装置的方法,该半导体元件具有如第十图所示之凸体。第十四图A及第十四图B示出当制造一具有本发明第十实施例之半导体元件的半导体装置时,利用焊剂来将凸体连接于一电路板之板电极上;第十五图示出如第七图所示之凸体中该第二突部的另一端并未延伸至该第一突部的高度;第十六图示出藉着该板来在第十五图所示之凸体上形成一平面;第十七图A、第十七图B、第十七图C及第十七图D系为表示在一IC电极上形成一凸体电极的方法之习知技术的剖视图;第十八图A、第十八图B、第十八图C及第十八图D系表示形成一习知凸体之操作说明图;第十九图A、第十九图B及第十九图C系藉连接一具有习知凸体之半导体元件于一电路板来形成一半导体装置的制程说明图;及第二十图A、第二十图B及第二十图C示出形成在一IC电极上之凸体电极的不正常形状之截面图。 |
