提升化学机械研磨制程执行后洁净晶片之方法

摘要

一种用于提升化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing，CMP)之后清洁(Post cleaning)程序中，用以完全去除附着于晶片表面之粒子的清洁方法。本发明所揭露之方法，系在晶片经过CMP制程后，将晶片置入一超音波震动槽(Megasonic tank)中，先执行一超音波清洁程序后，随后再执行CMP的后清洁程序。该超音波震动槽除了注入去离子水(D.I.water)之外，亦同时注入氨气(NH4OH)，再经过加热器之加热以对晶片进行粒子清除，而上述之制程可同时对晶片执行保湿之操作。

主权项

1.一种于化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing,CMP)后清洁(Post cleani ng)程序中,去除附着于晶片表面之粒子的清洁方法,该方法至少包含下列步骤:在该晶片经过该CMP制程后,将该晶片置入一超音波震动槽(Megasonic tank)中,该超音波震动槽所使用之氨气(NH4OH)系于2%至15%范围中,该超音波震动槽的温度被保持在20℃至85℃之间,该超音波震动槽之震动周波数为1000至3000KHz(千赫)之间,该超音波震动槽所使用的电流为0.5至6安培(Ampere),该超音波震动槽所使用的功率为5瓦(Watt)至1000瓦;对该晶片执行一超音波清洁程序;当该晶片则被置放在该超音波震动槽清洗1至30分钟后取出;及执行该CMP制程之该后清洁程序。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之超音波震动槽系包含去离子水(De-Ion water, D.I. water)与该氨气之溶液。3.一种于化学机械研磨(Chemical MechanicalPolishing,CMP)后清洁(Post cleani ng)程序中,去除附着于晶片表面之粒子的清洁方法,该方法至少包含下列步骤:在该晶片经过该CMP制程后,将该晶片置入一超音波震动槽(Megasonic tank)中;对该晶片执行一超音波清洁程序;及执行该CMP制程之该后清洁程序。4.如申请专利范围第3项之方法,其中上述之超音波震动槽系包含去离子水(De-Ion water, D.I. water)与氨气(NH4OH)之溶液。5.如申请专利范围第4项之方法,其中上述之氨气约为2%至15%之范围。6.如申请专利范围第4项之方法,其中上述之超音波震动槽的温度约为20℃至85℃。7.如申请专利范围第4项之方法,其中上述之超音波震动槽的震动周波数约为1000至3000KHz(千赫)。8.如申请专利范围第4项之方法,其中上述之超音波震动槽所使用的电流约为0.5至6安培(Ampere)。9.如申请专利范围第4项之方法,其中上述之超音波震动槽所使用的功率约为5瓦(Watt)至1000瓦。10.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之晶片系在该超音波震动槽清洗约1至30分钟后取出。11.一种于化学机械研磨(Chemical MechanicalPolishing,CMP)后清洁(Post cleaning)程序中,去除附着于晶片表面之粒子的清洁方法,该方法至少包含下列步骤:在该晶片经过该CMP制程后,将该晶片置入一超音波震动槽(Megasonic tank)中,该超音波震动槽使用去离子水(De-Ion water, D.I. water)与氨气(NH4OH)之溶液,该氨气约为2%至15%之范围,该超音波震动槽的温度约保持在20℃至85℃之间,该超音波震动槽之震动周波数约为1000至3000KHz(千赫)之间,该超音波震动槽所使用的电流约为0.5至6安培(Ampere),该超音波震动槽所使用的功率约为5瓦(Watt)至1000瓦;对该晶片执行一超音波清洁程序;当该晶片则被置放在该超音波震动槽清洗约1至30分钟后取出;及执行该CMP制程之该后清洁程序。图式简单说明:第一图为习知的CMP技术中,后清洁程序之操作步骤流程图;第二图描绘本发明所揭露,用于清洁晶片表面所附着粒子之后清洁程序之操作流程图;及第三图为本发明所使用之超音波震动槽的连结架构图。