| 主权项 |
1.一种适用于半导体制程的平坦化方法,其步骤包括:形成一第一绝缘层于一含半导体元件之晶片上;形成一第二绝缘层于该第一绝缘层上;形成一第三绝缘层于该第二绝缘层上;以及以该第二绝缘层为研磨终点,施一平坦化程序。2.如申请专利范围第1项所述之一种适用于半导体制程的平坦化方法,其中该平坦化程序是化学械研磨法。3.如申请专利范围第2项所述之一种适用于半导体制程的平坦化方法,其中该第二绝缘层之研磨速率大于该第三绝缘层。4.如申请专利范围第3项所述之一种适用于半导体制程的平坦化方法,其中该第二绝缘层与该第三绝缘层之研磨速率比约为3:1。5.如申请专利范围第1项所述之一种适用于半导体制程的平坦化方法,其中该第一绝缘层是电浆加强四乙氧基矽玻璃。6.如申请专利范围第4项所述之一种适用于半导体制程的平坦化方法,其中该第二绝缘层是硼磷四乙氧基矽玻璃,其厚度约为10000-15000A。7.如申请专利范围第6项所述之一种适用于半导体制程的平坦化方法,其中该第三绝缘层是选自于电浆加强的四乙氧基矽玻璃或低压化学气相沉积的四乙氧基矽玻璃,其厚度约为500-1500A。图式简单说明:第一图A-第一图C是剖面图,显示习知一种适用于半导体制程之平坦化方法。第二图A-第二图D显示SRAM在不同的平坦化条件下,元件区与周边电路间高度差的关系。第三图A-第三图C是剖面图,显示根据本发明之一种适用于半导体制程之平坦化方法。 |
