| 主权项 |
1.一种改善蚀刻制程的方法,可改善一氧化物对一金属矽化物之蚀刻选择性与简化该蚀刻制程,包括下列步骤:提供一基底,该基底上形成有该金属矽化物与该氧化物;以具有一气体流量比之一蚀刻气体组合进行一主要蚀刻步骤,用以在该氧化物上蚀刻出一开口,其中该蚀刻气体组合包括CHF3.CH4.Ar与CO气体;以及以具有该气体流量比之该蚀刻气体组合进行一过蚀刻步骤。2.如申请专利范围第1项所述之改善蚀刻制程的方法,其中该氧化物系形成于该金属矽化物上。3.如申请专利范围第1项所述之改善蚀刻制程的方法,其中形成该氧化物的方法包括常压化学气相沈积法。4.如申请专利范围第1项所述之改善蚀刻制程的方法,其中进行该主要蚀刻步骤之前,更包括上一光阻暴露出该氧化物上欲形成该开口之该氧化物表面。5.如申请专利范围第4项所述之改善蚀刻制程的方法,其中进行该过蚀刻步骤之后,更包括去除该光阻。6.如申请专利范围第1项所述之改善蚀刻制程的方法,其中该氧化物之材质系为二氧化矽。7.如申请专利范围第1项所述之改善蚀刻制程的方法,其中该氧化物之材质系为硼磷矽玻璃。8.如申请专利范围第1项所述之改善蚀刻制程的方法,其中该金属矽化物系为一自行对准金属矽化物。9.如申请专利范围第1项所述之改善蚀刻制程的方法,其中该开口系为一接触窗口。10.如申请专利范围第1项所述之改善蚀刻制程的方法,其中该蚀刻气体组合之该气体流量比中CHF3之流量范围约为10-50SCCM。11.如申请专利范围第1项所述之改善蚀刻制程的方法,其中该蚀刻气体组合之该气体流量比中CHF3之流量约为30SCCM。12.如申请专利范围第1项所述之改善蚀刻制程的方法,其中该蚀刻气体组合之该气体流量比中CF4之流量范围约为10-50SCCM。13.如申请专利范围第1项所述之改善蚀刻制程的方法,其中该蚀刻气体组合之该气体流量比中CF4之流量约为20SCCM。14.如申请专利范围第1项所述之改善蚀刻制程的方法,其中该蚀刻气体组合之该气体流量比中Ar之流量范围约为100-500SCCM。15.如申请专利范围第1项所述之改善蚀刻制程的方法,其中该蚀刻气体组合之该气体流量比中Ar之流量约为300SCCM。16.如申请专利范围第1项所述之改善蚀刻制程的方法,其中该蚀刻气体组合之该气体流量比中CO之流量范围约为100-300SCCM。17.如申请专利范围第1项所述之改善蚀刻制程的方法,其中该蚀刻气体组合之该气体流量比中CO之流量约为200SCCM。图式简单说明:第一图A-第一图B系绘示习知一种蚀刻氧化物以形成开口的制造流程剖面图;第二图系绘示习知一种蚀刻氧化物以形成开口的制造流程图;第三图A-第三图B系绘示一种蚀刻氧化物以形成开口的制造流程剖面图;以及第四图系绘示依照本发明一较佳实施例的一种改善蚀刻制程的方法的制造流程图。 |
