| 主权项 |
1.一种光阻剂涂布装置,系具备晶圆载置台:载置晶圆且赋与该晶圆旋转;喷嘴:从前述晶圆上方滴下光阻剂;及,光阻剂供应机构:供应前述光阻剂至前述喷嘴,其特征在于:具备第二喷嘴:将作为前述光阻剂主要成分的溶剂滴到前述晶圆上;及,温度调整机构:调整滴到前述晶圆上的光阻剂温度者。2.根据申请专利范围第1项之光阻剂涂布装置,其中前述第二喷嘴在将前述光阻剂滴到前述晶圆上之前,将前述溶剂滴到晶圆上,前述温度调整机构使滴到前述晶圆上的光阻剂温度成为比室温低2℃以上。3.一种光阻剂涂布装置,系具备晶圆载置台:载置晶圆且给与该晶圆旋转;喷嘴:从前述晶圆上方滴下光阻剂;及光阻剂供应机构:供应前述光阻剂至前述喷嘴,其特征在于:具备第二喷嘴:将作为前述光阻剂主要成分的溶剂滴到晶圆上;及,光阻剂量调整机构:调整滴到前述晶圆上的光阻剂每单位时间的滴下量者。4.根据申请专利范围第3项之光阻剂涂布装置,其中前述第二喷嘴在将前述光阻剂滴到前述晶圆上之前,将前述溶剂滴到晶圆上,前述光阻剂量调整机构系将前述光阻剂每单位时间的滴下量设成0.5cc/秒以下。5.根据申请专利范围第3或第4项之光阻剂涂布装置,其中该光阻剂供给机构在滴下前述溶剂后,在前述晶圆表面上所扩展的溶剂乾燥之前,对前述喷嘴供应前述光阻剂。6.一种光阻剂涂布方法,其特征在于:具有以下步骤:将作为光阻剂主要成分的溶剂滴到晶圆表面上;使滴有前述溶剂的晶圆以其轴为中心而旋转;将前述光阻剂滴到晶圆表面上;使滴有前述光阻剂的晶圆以其轴为中心而旋转;洗净前述晶圆背面,同时除去前述晶圆周边的光阻剂;及,为使已除去前述周边光阻剂的晶圆乾燥而使前述晶圆旋转者。7.根据申请专利范围第6项之光阻剂涂布方法,其中前述光阻剂温度比室温低2℃以上。8.根据申请专利范围第6项或第7项之光阻剂涂布方法,其中前述光阻剂每单位时间的滴下量为0.5cc/秒以下。9.根据申请专利范围第6项或第7项之光阻剂涂布方法,其中滴下前述溶剂后,在前述晶圆表面的溶剂乾燥之前,滴下前述光阻剂。图式简单说明:第一图为说明根据本发明之第一实施形态之图。第二图为显示根据第一实施形态之光阻剂滴下顺序的流程图。第三图为显示根据第一实施形态滴下光阻剂时的晶圆及载置晶圆的晶圆载置台的部分截面图。第四图为说明第一及第二实施形态之变形例之图。第五图为显示光阻剂温度和膜厚之关系的图表。第六图为说明根据本发明之第二实施形态之图。第七图为显示根据第一实施形态之光阻剂滴下顺序的流程图。第八图为显示根据第二实施形态滴下光阻剂时的晶圆及载置晶圆的晶圆载置台的部分截面图。第九图为显示光阻剂滴下量和膜厚之关系的图表。第十图为显示溶剂和光阻剂的滴下间隔与光阻剂滴下量之关系的图表。第十一图为说明根据习知技术之光阻剂涂布装置之图。第十二图为显示习知光阻剂滴下顺序的流程图。第十三图为显示习知滴下光阻剂时的晶圆及载置晶圆的晶圆载置台的部分截面图。 |
