| 主权项 |
1.一种雷射辐照方法,其包括步骤:准备具有一透明窗口之可抽真空室;将即将被雷射光所辐照之物体置入该可抽真空室之中;将包含氧气、氮气或其混合物之气体导入该可抽真空室之中;以雷射光束与保持在适当压力下之该气体来处理该物体。2.一种雷射辐照方法,其包括步骤:准备具有一透明窗口之可抽真空室;将具有非单晶系半导体层被形成于其上之基板置入该可抽真空室之中;将包含氧气、氮气或其混合物之气体导入该可抽真空室之中;将雷射光束从该可抽真空室的外面经过该透明窗口而导入至该可抽真空室的里面;以及藉由在该可抽真空室中之该雷射光束的辐照与保持在适当压力下之该气体而使该非单晶系半导体层结晶。3.一种雷射辐照方法,其包括步骤:准备具有一透明窗口之可抽真空室;将具有非单晶系半导体层被形成于其上之基板置入该可抽真空室之中;将气体导入该可抽真空室之中直到在该可抽真空室内的压力单调地增加至第二压力为止;将雷射光束从该可抽真空室的外面经过该透明窗口而导入至该可抽真空室的里面;以及以该雷射光束辐照该非单晶系半导体层而同时在该可抽真空室内维持第二压力。4.一种雷射辐照装置,其包括:用以放置即将被处理于雷射辐照装置内之物体的机制;用以以雷射光束辐照该物体的机制;以用以将电力供应至在雷射辐照室之内的空间之电极。5.如申请专利范围第4项的装置,其中该电极系一对被连结于该雷射辐照室的相对侧墙之电极。6.如申请专利范围第4项的装置,其中该电极系一对沿该雷射辐照室的同一墙所提供之电极。7.一种雷射辐照方法,其包括步骤:准备具有一透明窗口和一对被置于其中的电极之可抽真空室;将具有非单晶系半导体层被形成于其上之基板置入该可抽真空室之中;将雷射光束从该可抽真空室的外面经过该透明窗口而导入至该可抽真空室的里面;以该雷射光束辐照该非单晶系半导体层来使该半导体层结晶或退火;以及将洁净气体导入该可抽真空室之内;藉经由该对电极来供应电力而以该洁净气体来实施该抽真空室之内部的电浆清洁。8.如申请专利范围第7项的方法,其中该洁净气体包括从包含SF6.CF4.ClF3以及NF3的组群中所挑选的一种物质。9.一种雷射辐照方法,其包括步骤:为适合于结晶化而保持在雷射辐照室中之适合用于结晶化的压力恒定;以及在该雷射辐照室中藉由以雷射光束辐照非单晶系半导体层而使在基板上所形成之该非单晶系半导体层结晶,并且同时洁净该雷射辐照室的里面。10.一种雷射辐照方法,其包括步骤:为适合于退火而保持在雷射辐照室中之适合用于退火的压力恒定;以及在该雷射辐照室中藉由以雷射光束辐照非单晶系半导体层而使在基板上所形成之该非单晶系半导体层退火,并且同时洁净该雷射辐照室的里面。图式简单说明:第一图显示在实施例1中,雷射辐照室里的压力变化。第二图显示在比较例1中,雷射辐照室里的压力变化。第三图显示在比较例2中,雷射辐照室里的压力变化。第四图显示在实施例2中,雷射辐照室里的压力变化。第五图是第四图的雷射辐照室的俯视图。第六图是本发明的实施例2的雷射辐照室的侧面图。第七图是第六图的雷射辐照室的俯视图。第八图显示一种被用在实施例5里的雷射辐照设备。第九图显示实施例5的制程。 |
