发明名称 记忆体中具有一N型金氧半导体可供第一区域字元线解码器和第二区域字元线解码器共享之区域字元线解码器电路
摘要 减少记忆体中区域字元线解码器之半导体面积的方法和电路已被揭露。而上述区域字元线解码器之半导体面积的减少可藉由去除具有三个电晶体之区域字元线解码器中的一个电晶体,以及加入可供二个区域字元线解码器共用的第五个电晶体来达成。因为上述第五个电晶体被安置在二个存在电晶体间而不会增加任何面积,所以被去除的两个电晶体所占用的面积可不再需要。
申请公布号 TW372362 申请公布日期 1999.10.21
申请号 TW086116762 申请日期 1997.11.10
申请人 世界先进积体电路股份有限公司 发明人 林元泰;葛西豪
分类号 H01L27/10 主分类号 H01L27/10
代理机构 代理人 洪澄文
主权项 1.于半导体记忆体中之一第一区域字元线解码器和第二区域字元线解码器间共享一n型金氧半导体的方法,其包括:提供具有一第一区域字元线的一第一区域字元线解码器;提供具有一第二区域字元线的一第二区域字元线解码器;提供一n型通道金氧半导体装置;连接该n型通道金氧半导体装置于该第一区域字元线和该第二区域字元线之间;以及于该第一区域字元线解码器和该第二区域字元线解码器之间共享该n型通道金氧半导体装置。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该n型金氧半导体装置参与该第一区域字元线的解码。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该n型金氧半导体装置参与该第二区域字元线的解码。4.具有一n型金氧半导体可供一第一区域字元线解码器和第二区域字元线解码器共享之一字元线解码器电路,其包括:一第一区域字元线解码器,其用来起动一第一区域字元线;一第二区域字元线解码器,其用来起动一第二区域字元线;以及一n型金氧半导体装置,其连接于该第一区域字元线和该第二区域字元线之间。5.一种记忆体中的一字元线解码器电路,其包括:一参考电位;一第一区域字元线解码器,其具有一输入mwln0.输入wldr及输出lw10,该第一区域字元线解码器起动该输出lw10;一第二区域字元线解码器,其具有一输入mwln1.该输入wdldr及一输出lw11,该第二区域字元线解码器起动该输出lw11;以及一n型通道金氧半导体装置,其连接于该输出lw10及输出lw11之间,且具有一输入wldrn。6.如申请专利范围第5项之字元线解码器电路,其中该第一区域字元线解码器包括:一第一p通道电晶体,其具有一源极-汲极路径及一闸极,该第一p型通道电晶体的该源极-汲极路径是连接到该输入wldr和该输出lw10之间,而该第一p型通道电晶体的该闸极是连接到该输入mwln0;一第一n型通道电晶体,其具有一汲极-源极路径及一闸极,该第一n型通道电晶体的该汲极-源极是连接到该输出lw10及该参考电位之间,而该第一n型通道电晶体的该闸极是连接到该输入mwln0。7.如申请专利范围第5项之字元线解码器电路,其中第二区域字元线解码器包括:一第二p型通道电晶体,其具有一源极-汲极路径及一闸极,该第二p型通道电晶体的该源极-汲极路径是连接于该输入wldr和该输出lw11之间,而该第二p型通道电晶体的该闸极是连接到该输入mwln1;以及一第二n型通道电晶体,其具有一汲极-源极路径及一闸极,该第二n型通道电晶体的该汲极-源极是连接于该输出lw11及该参考电位之间,而该第二n型通道电晶体的该闸极是连接到该输入mwln1。8.如申请专利范围第5项之字元线解码器电路,其中该n型通道金氧半导体装置包括:一第三n型通道电晶体,其具有一汲极-源极路径及一闸极,该第三n型通道电晶体的该汲极-源极是连接于该输出lw10和该输出lw11之间,而该第三n型通道电晶体的该闸极是连接到该输入wldrn。9.一种具有一n型金氧半导体可供一第一区域字元线解码器和第二区域字元线解码器共享之一字元线解码器电路的结构,其包括:一第一n型通道电晶体,其具有一第一n型区域、第二n型区域及第一金属氧化物闸极;一第二n型通道电晶体,其具有一第三n型区域、第四n型区域及第二金属氧化物闸极;以及一第三n型通道电晶体,其具有该第二n型区域、第三n型区域及第三金属氧化物闸极。10.如申请专利范围第9项之结构,其中所有该n型区域是位于一主动区域中。11.如申请专利范围第9项之结构,其中该第一n型区域藉由该第一金属氧化物闸极而与该第二n型区域隔离。12.如申请专利范围第9项之结构,其中该第三n型区域是藉由该第二金属氧化物闸极而与该第四n型区域隔离。13.如申请专利范围第9项之结构,其中该第二n型区域是藉由该第三金属氧化物闸极而与该第三n型区域隔离。14.如申请专利范围第9项之结构,其中该金属氧化物闸极在该n型区域中彼此平行。15.如申请专利范围第9项之结构,其中包括:一第一p型通道电晶体,其具有一第一p型区域、第二p型区域及第一金属氧化物闸极:以及一第二p型通道电晶体,其具有一第三p型区域、第四p型区域及第二金属氧化物闸极。16.如申请专利范围第14项之结构,其中该第一p型通道电晶体靠近于该第一n型通道电晶体。17.如申请专利范围第14项之结构,其中该第二p型通道电晶体靠近于第二n型通道电晶体。18.如申请专利范围第14项之结构,其中该金属氧化物闸极于该p型区域中彼此平行。图式简单说明:第一图系显示用以说明依据昔知技术之字元线解码器的电路图;第二图系显示用以说明第一图中字元线解码器的实体布置;第三图系显示用以说明第二图之部分详细示意图;第四图系显示用以说明本发明的高阶方块图;第五图系显示用以说明依据本发明一较佳实施例之字元线解码器的的电路图;第六图系显示出第五图中电路的输入和输出信号图;第七图系显示用以说明第五图中电路的实体字元线解码器布置;以及第八图系显示用以说明第七图之部分详细示意图。
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