| 摘要 |
<p>본 발명에 따른 비휘발성 반도체 기억장치는 : 제 1 전극 및 제 2 전극 사이에 삽입된 강유전체막을 가지며, 제 1 및 제 2 분극 상태중 하나를 취하여 상기 강유전체막에 반응하는 2진 정보를 보유할 수 있는 커패시터, 및 상기 커패시터의 제 1 전극에 접속되어 있는 소스, 드레인, 및 게이트를 가진 트랜지스터를 포함하는 메모리셀; 상기 트랜지스터의 게이트에 접속된 워드선; 상기 트랜지스터의 드레인에 접속된 비트선; 상기 커패시터의 제 2 전극에 접속된 플레이트선; 및 상기 비트선에 접속된 센스 앰플리파이어를 포함한다. 상기 메모리셀의 독출 동작을 실행할 때, 상기 강유전체막이 제 1 분극 상태인 경우 상기 비트선의 전압이 센스 앰플리파이어에 의해 전원 전압으로 증폭되며; 상기 강유전체막이 제 2 분극 상태인 경우 상기 비트선의 전압이 센스 앰플리파이어에 의해 부전압으로 증폭된다.</p> |
