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1.一种改善薄膜电晶体型液晶显示器可靠度之方法,其系应用于一薄膜电晶体型液晶显示器中做为控制像素明暗开关之一薄膜电晶体上,其方法之特征在于:调整施予该非晶矽薄膜电晶体之一闸极驱动信号频率至一特定频率,而该特定频率系大于75赫兹,俾得一改善薄膜电晶体型液晶显示器可靠度之效果。2.如申请专利范围第1项所述之改善薄膜电晶体型液晶显示器可靠度之方法,其中该薄膜电晶体系为一非晶矽薄膜电晶体。3.如申请专利范围第2项所述之改善薄膜电晶体型液晶显示器可靠度之方法,其中该特定频率系大于75赫兹而小于10k赫兹。4.如申请专利范围第3项所述之改善薄膜电晶体型液晶显示器可靠度之方法,其中更包含下列步骤:将该闸极驱动信号于该非晶矽薄膜电晶体上所施予之偏压应力控制于正闸极偏压为5V至30V,而负闸极偏压则为-5V至-20V。5.如申请专利范围第1项所述之改善薄膜电晶体型液晶显示器可靠度之方法,其中该薄膜电晶体系为一复晶矽薄膜电晶体。图式简单说明:第一图:其系主动阵列式薄膜电晶体型液晶显示器所使用之驱动讯号之波形示例图。第二图:其系非晶矽薄膜电晶体在不同周期(频率)与不同正闸极偏压应力下,其临界电压(ThresholdVoltage)漂移现象之示意图。第三图:其系非晶矽薄膜电晶体在不同周期(频率)与不同正闸极偏压应力下,其临界电压偏移(Subhreshold Swing)改变之示意图。第四图:其系非晶矽薄膜电晶体在不同周期(频率)与不同负闸极偏压应力下,其临界电压(ThresholdVoltage)漂移现象之示意图。第五图:其系非晶矽薄膜电晶体在不同周期(频率)与不同负闸极偏压应力下,其临界电压偏移(Subhreshold Swing)改变之示意图。 |
