| 主权项 |
1.一种可在一基板反应操作后以减少在基板处理反应器内额外金属沉积之方法,该方法可包含有下列之步骤:在该基板反应操作后,导引一含氮之钝化气体注入该反应器中,而该基板反应操作系在一反应温度下以受控制;及在导引钝化气体注入反应器期间,维持该反应器之至少一部分在一第二温度下,致使减少额外金属建构在该反应器内。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该含氮之钝化气体系可选择自氮气(N2)、一氧化二氮(N2O)、或一氧化氮(NO)中而使用者。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二温度范围系约为200-300℃者。4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该粒子及残余物系可藉由一含铝气体之化学气相沉积反应而沉积于该反应器之内部。5.如申请专利范围第3项所述之方法,尚包括有一设定及维持反应器内部压力之步骤,其中该压力范围约为0.1-100torr。6.一种在一处理反应器内制造一积体电路之方法,该方法包含有下列之步骤:置放一晶圆至该反应器内;对在反应器内之晶圆实施一反应操作以在该晶圆上沉积一预设金属薄膜,及在反应器之区域内沉积一非必要金属薄膜;从该反应器中移开该晶圆;当该晶圆从反应器中移开后,导引一含氮钝化气体注入该反应器内;在该钝化气体导入反应器内期间,维持反应器内部之压力至一特定压力范围;及维持反应器内至少一部分在一特定温度下反应,以钝化该非必要金属薄膜,而可达到减少非必要金属沉积在该反应器区域之功效者。7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该反应操作尚包括有一化学气相沉积步骤。8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该特定压力系至少为0.0torr。9.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该特定温度范围系约为200-300℃。10.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该实施步骤包含有下列步骤:导引一包含有一含铝气体之反应气体注入该反应器内;在该反应气体注入反应器期间,对该反应器之部分加温至一约为200-300℃间之反应温度;及在该反应气体注入反应器期间,维持反应器内之压力为5-25torr间。11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该含铝气体为铝乙烷氢化物(DMAH)。12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该反应气体尚包括有氩气。13.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该实施步骤保括有以下之步骤:导引一包含有一含氮气体之反气体注入该反应器内;在该反应气体注入反应器期间,加热该反应器之部分至一约为300-300℃之反应温度;及在该反应气体注入反应器期间,维持反应器内之压力为5-25torr间。14.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该至少0.1torr之压力范围系从约10-90torr而来。15.一种可藉由申请专利范围第6项所述之方法所制成之积体电路。16.一种基板反应设备,其包括有:一可形成真空反应器之壳体;一气体分配系统,连接该真空反应器,该气体分配系统能够导引复数个气体注入气体混合反应器;一加热系统,该加热系统包括有一加热器可支撑一基板,且能够加热至一选择温度;一真空系统,连接该真空反应器,以控制该真空反应器内之压力;一可控制该气体分配系统、加热器、及真空系统之控制器;及一记忆体,连接该控制器,该记忆体包含有一具有一电脑可读取程式之电脑可读取媒体,以直接操作该基板反应系统,该电脑可读取程式包括有:一可控制该加热器、真空系统、气体分配系统之第一组指令,以导引一反应气体注入真空反应器,且维持反应器内之温度及压力至一选择范围,以实施一可在一第一时间周期内移除在真空反应器中之非必要金属沉积残余物的金属基板反应操作;一可在第一时间周期后之第二时间周期内,可控制该加热器加热反应器之一部分至一特定温度之第二组指令;及一可在该第二时间周期内可控制该气体分配系统导引一含氮钝化气体注入该真空反应器之第三组指令,以减少非必要金属残余物沉积在真空反应器内之功效者。17.如申请专利范围第16项所述之设备,其中该第一组指令可控制该气体分配系统以导引该包含有一含铝气体之反应气体。18.如申请专利范围第17项所述之设备,其中该特别温度范约为300-300℃。19.如申请专利范围第17项所述之设备,其中该金属基板反应操作在该第一时间周期内将沉积一金属薄膜于一基板上,且该第三组指令将在第一时间周期而将基板从真空反应器移开后,可控制气体分配系统导引该含氮钝化气体。20.如申请专利范围第16项所述之设备,其中该电脑可读取程式进一步包含有一可在第一时间周期内控制该真空系统设定及维持该真空反应器压力在约为5-25torr下之第四组指令,该第四组指令亦可在该第二时间周期内设定及维持该真空反应器在压力约为0.1-100torr下者。图式简单说明:第一图A系根据本发明所制成一简易化学气相沉积设备实施例之直立剖视图;第一图B系使用在如第一图A所示反应器内以固定在反应器内生产基板之抗热基座实施例的直立剖视图;第一图C系在一多功能反应器内之系统监视器及CVD系统之简易外观示意图,其中在多功能反应器内可包括有一或多个反应器;第一图D系根据本发明一特别实施例系统控制软体之阶层控制结构及电脑程式之方块示意图;第二图系根据本发明一实施例所制成半导体装置之剖面示意图;及第三图系本发明一正确晶圆制程方法实施例之流程示意图。 |
