| 主权项 |
1.一种用来处理基材的方法,其包含之步骤为:(a)将基材导入第一制程区域中;(b)沈积非连续的成核结晶层于基材上;(c)将基材导入第二制程区域中;(d)沈积润湿层于成核结晶层之上;(e)导入基材于第三制程区域之中;(f)沈积导电层于润湿层之上。2.如申请专利范围第1项之方法,其中沈积成核结晶层之步骤包含沈积由Ti、TiN、Ta、TaN、Al、Cu、TDMAT之中或是其中之结合的材料层。3.如申请专利范围第2项之方法,其中成核结晶层是由物理气相沈积方法沈积由Ti、TiN、Ta、TaN、Al、Cu、之中或是其中结合的物质层。4.如申请专利范围第3项之方法,其中润湿层润湿层材料是由Al、Cu之中选出,或是它们之结合物。5.如申请专利范围第1项之方法,其中成核结晶层是由Ti、TiN、Al、Cu、Si、Nb、Ta、TaN、矽酸铝、二氧化矽、高氧化铝或是其结合物之中选出。6.如申请专利范围第1项之方法,其中沈积导电属之步骤包含使用PVD沈积暖金属层于CVD导电层之上。7.如申请专利范围第6项之方法,其中暖金属层沈积于温度高于250℃。8.一种处理基材之方法,其包含有:(a)导入基材于第一制程区域中;(b)沈积成核结晶层于至少基材的一些部位上;(c)导入基材至第二制程区域中;然后(d)沈积润湿层于成核结晶层之上。9.如申请专利范围第8项之方法,其中成核结晶层包含之物质由Ti、TiN、Al、Cu、Si、Nb、Ta、TaN、矽酸铝、二氧化矽、高氧化铝、或是其结合物之中选出。10.如申请专利范围第9项之方法,其中润湿层包含之物质由Al、Cu或是其结合物之中选出。11.如申请专利范围第10项之方法,其中成核结晶层包含数原子至约500A的Ti,以及数原子至300A之TiN。12.如申请专利范围第11项之方法,其中润湿层包含约50至约500A的物质由Al、Cu、或是其结合物之中选出。13.如申请专利范围第9项之方法,进一步包含沈积导电层于润湿层上之步骤。14.如申请专利范围第13项之方法,其中导电层为一暖金属层。15.如申请专利范围第14项之方法,其中暖金属包含之物质包含由Al、Cu、或是其结合物之中选出。16.如申请专利范围第15项之方法,其中暖金属层沈积于温度高于约250℃。17.一种电脑程式产品来操作用来沈积相当平坦、高反射性层于基材上之制程腔体,此产品包含一电脑可用之媒体,其具有设置于其中的电脑可读取程式编码手段,此电脑编码手段包含有:(a)基材放置编码来放置基材于腔体中;(b)加热控制编码来操作加热器于(i)绝缘阶段,其中基材维持于温度Ts于第一较低之温度范围Ts,以及(ii)沈积阶段,其中基材维持于沈积温度Td于第二较高之温度范围Td;以及(c)制程气体控制编码来执行一制程,其包含之步骤有:(i)在PVD或CVD腔体中沈积一薄成核结晶层,(ii)在CVD腔体中,导入一种或多种沈积气体于制程区域中来沈积含金属之润湿层,以及(iii)在PVD腔体中,导入溅镀气体至具有含金属物质沈积于其中之腔体,而沈积含金属膜。图式简单说明:第一图为一先前技艺基材之示意部份截面图,其显示一杂乱方向性、精细晶粒、颗粒状的沈积层于基材上蚀刻的接触孔之中,而具有空洞、非连续性、以及非平坦表面;第二图为一依据本发明制程的基材之示意部份截面图,其显示沈积于基材上之薄成核结晶层;第三图为第二图中基材的示意部份截面图,其显示沈积于基材上的共形润湿层;第四图为第三图中基材的示意部份截面图,其显示在低温沈积于共形润湿属之金属;第五图为一适合用于在基材上实施CVD和PVD之并合多重腔体装置之示意部份截面图;第六图为一适于实施本发明之CVD沈积制程的CVD沈积腔体之示意部份截面图;以及第七图为一简化之方块图,其显示本发明之电脑程式的组织控制结构。 |
