| 主权项 |
1.一种半导体晶圆中形成浅接面的方法,包含之步骤为:将参杂物质植入半导体晶圆中;选择一氟用剂以及对应于该参杂物质之能量以产生小于1000埃之需求接面深度以及一需求薄层电阻;于该选定之用剂及能量下将氟植入半导体晶圆中;以及在一选定温度下将半导体晶圆施以热处理一选定时间,藉以使参杂物质发生作用,以形成该浅接面。2.根据申请专利范围第1项之半导体晶圆中形成浅接面的方法,其中选择一氟用剂及能量之步骤包括该氟之该用剂与能量,以便在完成使该参杂物质作用之步骤时,至少该氟之至少一部份剩留于半导体中。3.根据申请专利范围第1项之半导体晶圆中形成浅接面的方法,其中植入氟之步骤包括选择该氟之能量,以便该氟植入之深度比参杂物质稍深。4.根据申请专利范围第1项之半导体晶圆中形成浅接面的方法,其中植入一参杂物质之步骤包括植入硼离子或二氟化硼离子。5.根据申请专利范围第1项之半导体晶圆中形成浅接面的方法,其中植入氟之步骤系在植入该参杂物质步骤之前实施的。6.根据申请专利范围第1项之半导体晶圆中形成浅接面的方法,其中植入氟之步骤系在植入该参杂物质步骤之后实施的。7.根据申请专利范围第1项之半导体晶圆中形成浅接面的方法,其中植入氟之步骤系在植入该参杂物质步骤时实施的。8.根据申请专利范围第1项之半导体晶圆中形成浅接面的方法,其中植入氟之步骤包括植入含氟离子。9.根据申请专利范围第1项之半导体晶圆中形成浅接面的方法,进一步包括之步骤为:于使该参杂物质作用之后,低温退火该半导体晶圆,以去除去除剩余氟并降低对半导体晶圆之损害。10.根据申请专利范围第9项之半导体晶圆中形成浅接面的方法,其中系在约550℃至650℃之温度执行约30分钟至60分钟之低温退火步骤。11.根据申请专利范围第1项之半导体晶圆中形成浅接面的方法,其中该接面具有小于500埃之深度。12.根据申请专利范围第1项之半导体晶圆中形成浅接面的方法,其中选择氟用剂及能量之步骤包含选择小于约10keV之氟能量。13.根据申请专利范围第1项之半导体晶圆中形成浅接面的方法,其中选择氟用剂及能量之步骤包括选择氟用剂为,每一参杂物质原子约1至5个氟原子。14.根据申请专利范围第1项之半导体晶圆中形成浅接面的方法,其中选择氟用剂及能量之步骤包括选择氟用剂为约5e14/cm2至5e15/cm2之范围。15.一种半导体晶圆中形成浅接面的方法,包含之步骤为:将硼植入半导体晶圆中;选择一氟用剂以及对应于该硼之能量以产生小于1000埃之需求接面深度以及一需求薄层电阻;于该选定之用剂及能量下将氟植入半导体晶圆中;以及在一选定温度下将半导体晶圆施以热处理一选定时间,藉以使该硼发生作用,以形成该浅接面。16.根据申请专利范围第15项之半导体晶圆中形成浅接面的方法,进一步包括之步骤为:于使该硼作用之后,低温退火该半导体晶圆,以去除去除剩余氟并降低对半导体晶圆之损害。17.根据申请专利范围第16项之半导体晶圆中形成浅接面的方法,其中系在约550℃至650℃之温度执行约30分钟至60分钟之低温退火步骤。18.根据申请专利范围第15项之半导体晶圆中形成浅接面的方法,其中植入氟之步骤系在植入该硼步骤之前实施的。19.根据申请专利范围第15项之半导体晶圆中形成浅接面的方法,其中植入氟之步骤系在植入该硼步骤之后实施的。20.根据申请专利范围第15项之半导体晶圆中形成浅接面的方法,其中植入氟之步骤系在植入该硼步骤时实施的。21.根据申请专利范围第15项之半导体晶圆中形成浅接面的方法,其中植入硼之步骤包括植入硼离子或二氟化硼离子。22.根据申请专利范围第15项之半导体晶圆中形成浅接面的方法,其中选择氟用剂及能量之步骤包含选择小于约10keV之氟能量。23.根据申请专利范围第15项之半导体晶圆中形成浅接面的方法,其中选择氟用剂及能量之步骤包括选择氟用剂为,每一参杂物质原子约1至5个氟原子。24.根据申请专利范围第15项之半导体晶圆中形成浅接面的方法,其中选择氟用剂及能量之步骤包括选择氟用剂为约5e14/cm2至5e15/cm2之范围。图式简单说明:第一图系一半导体晶圆简化之部份剖面图;第二图系一流程图,表示本发明半导体晶圆中形成浅接面的方法示例;第三图系氟浓度之图形,以二氟化硼植入时深度为变数之函数(无退火处理);第四图系氟浓度之图形,以二氟化硼植入随后仅以低温退火处理时深度为变数之函数;第五图系氟浓度之图形,以二氟化硼及氟植入随后仅以高温退火处理时深度为变数之函数;第六图系氟浓度之图形,以二氟化硼及氟植入随后出高温退火处理,然后再加以低温退火处理时深度为变数之函数; |
