积体电路之反熔丝的制作方法

摘要

本发明系揭露一种积体电路中反熔丝(anti-fuse)的制作方法，可解决当金属层蚀刻时，因发生光罩对不准(misalignment)现象，而造成降低元件之程式化电压(programming voltage)的问题。首先，于包含电性元件及图案化金属层的基板上，形成一介电层，并于该介电层中形成一钨插塞；接着，形成一非晶矽层及第一氮化钛层，利用微影蚀刻使其仅覆盖住所述钨插塞，再于表面形成第二氮化钛层及一层金属层，并对其进行蚀刻；之后，以湿氧反应，于所述非晶矽表面形成二氧化矽薄膜。

主权项

第三图C