发明名称 一种激光化学气相沉积金刚石膜的方法
摘要 一种激光化学气相沉积金刚石膜的方法,最低沉积温度为250℃,其特征在于选用波长在308nm的XeCl准分子激光作激光源,过程如下:将欲沉积衬底放在高导热率材料的工作台上,用XeCl准分子激光辐照衬底欲沉积金刚石膜区,并在预抽真空的反应室中通入能吸收该激光波长的碳氢化合物反应气(含汽化液体或固体)和氢气,碳氢化合物反应气与氢气的流量比为(1~3)∶100,在适当工艺条件下,在衬底表面沉积出金刚石膜,工艺条件是:XeCl激光单脉冲能量20~500mj/pules;XeCl激光脉宽15~40ns;脉冲频率5~40Hz。本发明所制膜层纯度高,沉积温度低,易于实现,安全可靠。
申请公布号 CN1047408C 申请公布日期 1999.12.15
申请号 CN95111978.8 申请日期 1995.09.11
申请人 中国科学院金属研究所 发明人 冯钟潮;赵岩;张炳春
分类号 C23C16/26;C23C16/48 主分类号 C23C16/26
代理机构 中国科学院沈阳专利事务所 代理人 张晨
主权项 1.一种激光化学气相沉积金刚石膜的方法,最低沉积温度为250℃,其特征在于选用波长在308nm的XeCl准分子激光作激光源,过程如下:将欲沉积衬底放在高导热率材料的工作台上,用XeCl准分子激光辐照衬底欲沉积金刚石膜区,并在预抽真空的反应室中通入能吸收该激光波长的碳氢化合物反应气(含汽化液体或固体)和氢气,碳氢化合物反应气与氢气的流量比为(1~3)∶100,在适当工艺条件下,在衬底表面沉积出金刚石膜,工艺条件是:XeCl激光单脉冲能量 20~500mj/pulesXeCl激光脉宽 15~40ns脉冲频率 5~40Hz。
地址 110015辽宁省沈阳市沈河区文化路72号