| 主权项 |
1.一种在一半导体元件上形成不平坦复晶矽结构之方法,其步骤包括:提供一复晶矽层;在该复晶矽层中进行一掺质之高度掺杂;以及于该高掺杂复晶矽层上形成一非晶矽层,其中该复晶矽层中之掺质以高温扩散方式扩散至该非晶矽层而形成该不平坦复晶矽结构。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该复晶矽层的厚度约为500-10000A。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该复晶矽层的形成系以化学气相沈积法(chemicalvapor deposition)为之。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该掺质为一种IVA族元素或VA族元素。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该掺质为磷,砷或硼。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该掺质系以扩散或离子植入法进行掺杂。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该非晶矽层的形成系以化学气相沈积法为之。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该非晶矽层的厚度约为100-2000A。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其更包括一回火过程,使得该复晶矽层中之掺质热扩散至该非晶矽层,而使该复晶矽层与该非晶矽层中的掺质浓度达成平衡。10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该回火过程系在氮气存在下进行,温度为750-950℃,时间为10-60分钟。11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中所形成之不平坦复晶矽结构为一半球状复晶矽(hemispherical grained Si, HSG)。12.一种在一半导体元件上形成不平坦复晶矽结构之方法,其步骤包含:提供一第一非晶矽层;在该第一非晶矽层中进行一掺质之高度掺杂;以及于该高掺杂之第一非晶矽层上形成一第二非晶矽层,其中藉由一回火过程使该第一非晶矽层中之掺质扩散至该第二非晶矽层,而形成该不平坦复晶矽结构。13.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该第一非晶矽层的厚度约为500-10000A。14.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该第一非晶矽层的形成系以化学气相沈积法(chemical vapor deposition)为之。15.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该掺质为一种IVA族元素或VA族元素。16.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该掺质为选自一种磷,砷或硼。17.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该掺质系以扩散或离子植入法进行掺杂。18.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该第二非晶矽层的形成系以化学气相沈积法为之。19.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该第二非晶矽层的厚度约为100-2000A。20.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该回火过程系在氮气存在下进行,温度为750-950℃时间为10-60分钟。21.如申请专利范围第12项所述之方法,其中所形成之不平坦复晶矽结构为一半球状复晶矽(hemispherical grained Si, HSG)。图式简单说明:第一图(a)和(b):为一种传统上形成一半球状复晶矽结构的方法。第二图(a)和(c):为根据本案以形成一半球状复晶矽结构的方法。 |
