| 主权项 |
1.一种金氧半电晶体元件之制程,包括下列步骤:提供一基底;在该基底上形成一薄氧化层;在该薄氧化层上形成一复晶矽层;于该复晶矽层上形成一顶盖层;将该顶盖层、该复晶矽层与该薄氧化层图案化,以形成一第一开口,并去除部份该基底,以在该基底中形成一沟渠;于该沟渠与该第一开口中形成一绝缘层,以作为一浅沟渠隔离结构;定义该顶盖层、该复晶矽层与该薄氧化层,以使之转为一牺牲闸极顶盖层、一复晶矽闸极层与一闸极氧化层,以共组一前置闸极结构;在该前置闸极结构侧壁以外的该基底中形成一源极/汲极区;在该前置闸极结构之侧壁形成一闸间隙壁,以及该浅沟渠隔离结构之侧壁形成一隔离间隙壁,使该闸间隙壁与该隔离间隙壁之间所围成的区域形成一接触窗前置开口,裸露出该源极/汲极区;去除该牺牲闸极顶盖层,以形成一第二开口;以及于该第二开口与该接触窗前置开口中形成一导电层。2.如申请专利范围第1项所述之一种金氧半电晶体元件之制程,其中,于该沟渠与该第一开口中形成该绝缘层,以作为该浅沟渠隔离结构的步骤包括:于该基底上全面性形成该绝缘层,使其覆盖该顶盖层并填满该沟渠与该第一开口;以及将该绝缘层平坦化,以去除该顶盖层上所覆盖的该绝缘层,并使留在该沟渠与该开口的该绝缘层形成该浅沟渠隔离结构。3.如申请专利范围第2项所述之一种金氧半电晶体元件之制程,其中,将该绝缘层平坦化的方法包括化学机械研磨法。4.如申请专利范围第2项所述之一种金氧半电晶体元件之制程,其中,该绝缘层之材质包括氧化矽。5.如申请专利范围第4项所述之一种金氧半电晶体元件之制程,其中,在该基底中形成该沟渠之后,于该沟渠与该第一开口中形成该绝缘层之前,更包括于该沟渠所裸露的该基底表面,以及该第一开口所裸露的该复晶矽层与该薄氧化层的表面形成一衬氧化层。6.如申请专利范围第2项所述之一种金氧半电晶体元件之制程,其中,该顶盖层和该复晶矽层、该绝缘层具有不同的蚀刻率。7.如申请专利范围第2项所述之一种金氧半电晶体元件之制程,其中,形成该源极/汲极区的方法包括:以该前置闸极结构为罩幕,进行离子布植,以将轻剂量之掺杂植入于该前置闸极结构侧壁以外的该基底中,形成一轻掺杂源极/汲极区;在该前置闸极结构之侧壁形成该闸间隙壁,以及该浅沟渠隔离结构之侧壁形成该隔离间隙壁,使该闸间隙壁与该隔离间隙壁之间所围成之区域形成该接触窗前置开口,裸露出该轻掺杂源极/汲极区;以及以该牺牲闸极顶盖层、该闸间隙壁、该隔离间隙壁与该浅沟渠隔离结构为罩幕,进行离子布植,以将高剂量之掺杂植入于该闸间隙壁与该隔离间隙壁侧壁以外的该基底中,形成一重掺杂源极/汲极区,而与该轻掺杂源极/汲极区共同组成该源极/汲极区。8.如申请专利范围第2项所述之一种金氧半电晶体元件之制程,其中,于该第二开口与该接触窗前置开口中形成该导电层的方法包括:于该基底全面性形成该导电层,使其覆盖该浅沟渠隔离结构,并填满该第二开口与该接触窗前置开口;以及将该导电层平坦化,以去除该浅沟渠隔离结构上所覆盖之该导电层,使留在该接触窗前置开口之该导电层形成一前置接触窗插塞,使留在该第二开口之该导电层与该复晶矽闸极层以及该闸极氧化层形成一闸极结构。9.如申请专利范围第8项所述之一种金氧半电晶体元件之制程,其中,将该导电层平坦化的方法包括化学机械研磨法。10.如申请专利范围第8项所述之一种金氧半电晶体元件之制程,其中,该导电层之材质包括金属。11.如申请专利范围第10项所述之一种金氧半电晶体元件之制程,其中,形成该源极/汲极区之后,形成该导电层之前更包括于该基底上形成一共形阻障层/黏着层。12.如申请专利范围第11项所述之一种金氧半电晶体元件之制程,其中,该阻障层/黏着层系选自于钛、氮化钛、氮化钨、氮矽化钨、钽以及氮化钽所组成之族群。13.如申请专利范围第10项所述之一种金氧半电晶体元件之制程,其中,该导电层之材质包括钨金属。14.如申请专利范围第10项所述之一种金氧半电晶体元件之制程,其中,该导电层之材质包括铜金属。15.如申请专利范围第1项所述之一种金氧半电晶体元件之制程,其中,该顶盖层和该复晶矽层以及该绝缘层具有不同的蚀刻率。16.如申请专利范围第1项所述之一种金氧半电晶体元件之制程,其中,形成该源极/汲极区的方法包括:以该前置闸极结构为罩幕,进行离子布植,以将轻剂量之掺杂植入于该前置闸极结构侧壁以外的该基底中,形成一轻掺杂源极/汲极区;在该前置闸极结构之侧壁形成该闸间隙壁,以及该浅沟渠隔离结构之侧壁形成该隔离间隙壁,使该闸间隙壁与该隔离间隙壁之间所围成之区域形成该接触窗开口,裸露出该轻掺杂源极/汲极区;以及以该牺牲闸极顶盖层、该闸间隙壁、该隔离间隙壁与该浅沟渠隔离结构为罩幕,进行离子布植,以将高剂量之掺杂植入于该闸间隙壁与该隔离间隙壁侧壁以外的该基底中,形成一重掺杂源极/汲极区,而与该轻掺杂源极/汲极区共同组成该源极/汲极区。17.如申请专利范围第16项所述之一种金氧半电晶体元件之制程,其中,于该第二开口与该接触窗前置开口中形成该导电层的方法包括:于该基底全面性形成该导电层,使其覆盖该浅沟渠隔离结构,并填满该第二开口与该接触窗前置开口;以及将该导电层平坦化,以去除该浅沟渠隔离结构上所覆盖之该导电层,使留在该接触窗前置开口之该导电层形成一前置接触窗插塞,使留在该第二开口之该导电层与该复晶矽闸极层以及该闸极氧化层形成一闸极结构。18.如申请专利范围第17项所述之一种金氧半电晶体元件之制程,其中,将该导电层平坦化的方法包括化学机械研磨法。19.如申请专利范围第1项所述之一种金氧半电晶体元件之制程,其中,于该第二开口与该接触窗前置开口中形成该导电层的方法包括:于该基底全面性形成该导电层,使其覆盖该浅沟渠隔离结构,并填满该第二开口与该接触窗前置开口;以及将该导电层平坦化,以去除该浅沟渠隔离结构上所覆盖之该导电层,使留在该接触窗前置开口之该导电层形成一前置接触窗插塞,使留在该第二开口之该导电层与该复晶矽闸极层以及该闸极氧化层形成一闸极结构。20.如申请专利范围第19项所述之一种金氧半电晶体元件之制程,其中,将该导电层平坦化的方法包括化学机械研磨法。图式简单说明:第一图A至第一图G是习知一种金氧半电晶体元件制程之分解示意图;以及第二图A至第二图G是依照本发明一较佳实施例之一种金氧半电晶体元件制程之分解示意图。 |
