| 主权项 |
1.一种抗辐射的半导体元件结构,包括:一上方设有一沟渠的基板;一氧化层,设于该沟渠之内壁上;一氮化物层,设于该氧化层之上,填满该沟渠;使填满该沟渠的氮化物层在辐射照射下,内部电子与电洞的移动率相接近,引发的启动电压之偏移量甚小,而得具有抗辐射能力。2.如申请专利范围第1项所述的半导体元件结构,其中该氧化层系以一热氧化程序所形成。3.如申请专利范围第1项所述的半导体元件结构,其中该氧化层系以一沈积程序所形成。4.如申请专利范围第1项所述的半导体元件结构,其中该薄氧化层乃作为纾缓该氮化物层的高拉伸应力之用。5.如申请专利范围第1项所述的半导体元件结构,其中该氮化物层系以一沈积程序沈积Si3N4所形成。6.如申请专利范围第1项所述的半导体元件结构,其中该氮化物层系以一沈积程序沈积SiNx所形成。7.如申请专利范围第1项所述的半导体元件结构,其中该氮化物层具有中空构造。8.一种半导体元件上之绝缘层结构,其形成于一矽基板之一沟渠内,包括:一氧化层,形成于该沟渠内壁;一氮化物层,填满于该沟渠。9.如申请专利范围第8项所述的绝缘层结构,其中该氧化层系以一热氧化程序所形成。10.如申请专利范围第8项所述的绝缘层结构,其中该氧化层系以一沈积程序所形成。11.如申请专利范围第8项所述的绝缘层结构,其中该薄氧化层乃作为纾缓该氮化物层的高拉伸应力之用。12.如申请专利范围第8项所述的绝缘层结构,其中该氮化物层系以一沈积程序沈积Si3N4所形成。13.如申请专利范围第8项所述的绝缘层结构,其中该氮化物层系以一沈积程序沈积SiNx所形成。14.如申请专利范围第8项所述的绝缘层结构,其中该氮化物层具有中空构造。15.如申请专利范围第8项或第14项所述的绝缘层结构,该结构具有较佳之抗辐射能力。16.一种于一半导体元件上形成一绝缘层的方法,其中包括有以下步骤:在一基板上,以微影及蚀刻制程形成一沟渠;于该沟渠之内壁形成一薄氧化层;藉由一沈积程序,将一氮化物层填满于该沟渠中。17.如申请专利范围第16项所述的方法,其中该薄氧化层系以一热氧化程序所形成。18.如申请专利范围第16项所述的方法,其中该薄氧化层系以一沈积程序所形成。19.如申请专利范围第16项所述的方法,其中该薄氧化层乃作为纾缓该氮化物层的高拉伸应力之用。20.如申请专利范围第16项所述的方法,其中该氮化物层系沈积Si3N4所形成。21.如申请专利范围第16项所述的方法,其中该氮化物层系沈积SiNx所形成。22.如申请专利范围第16项所述的方法,其中该氮化物层具有一中空构造。23.如申请专利范围第16项或第22项所述的方法,其中该绝缘层结构具有较佳之抗辐射能力。24.如申请专利范围第16项所述的方法,更进一步包含执行一平坦化程序,使该绝缘层形成一平坦面。25.如申请专利范围第24项所述的方法,其中该平坦化程序系以一化学机械式研磨(chemical mechanical polishing, CMP)程序完成。26.如申请专利范围第24项所述的方法,其中该平坦化程序系以一反应性离子蚀刻(reactive ion etching,RIE)程序完成。27.一种抗辐射的半导体元件之绝缘层结构,包括:一基板;一沟渠,形成于该基板上;一氧化层,沿着该沟渠之内壁形成;一氮化物层,于该氧化层之上,填入该沟渠。28.如申请专利范围第27项所述的绝缘层结构,其中该氧化层系以一热氧化程序所形成。29.如申请专利范围第27项所述的绝缘层结构,其中该氧化层系以一沈积程序所形成。30.如申请专利范围第27项所述的绝缘层结构,其中该薄氧化层乃作为纾缓该氮化物层的高拉伸应力之用。31.如申请专利范围第27项所述的绝缘层结构,其中该氮化物层系以一沈积程序沈积Si3N4所形成。32.如申请专利范围第27项所述的绝缘层结构,其中该氮化物层系以一沈积程序沈积SiNx所形成。33.如申请专利范围第27项所述的绝缘层结构,其中该氮化物层具有中空构造。34.如申请专利范围第27项或第33项所述的绝缘层结构,该结构具有较佳之抗辐射能力。图式简单说明:第一图系表示一在习知积体电路中用以隔绝两电晶体的绝缘层。其中10代表一矽基板,11及12代表一电晶体,13代表一绝缘层(场区氧化层)。第二图A至第二图D系表示依照本发明,在一基板的一沟渠内形成一绝缘层的过程。其中20代表一矽基板,21代表一沟渠,22代表一氧化层,23代表一氮化物层。第三图A至第三图B系表示依照本发明,在一基板的一沟渠内形成一具有中空构造的绝缘层之过程。其中30代表一矽基板,31代表一沟渠,32代表一氧化层,33代表一氮化物层,34代表一孔洞。第四图A至第四图D系表示依照本发明,在一多晶矽柱状结构间的沟渠内形成一绝缘层的过程。其中40代表一矽基板,41代表一保护层,42代表一半球状多晶矽,43代表一光阻,44代表一多晶矽柱状体,45代表一沟渠。 |
