| 主权项 |
1.一种双重金属镶嵌的制造方法,包括下列步骤:提供一基底结构;于该基底结构上,形成一第一导电层和一第一绝缘层;定义该第一绝缘层和该第一导电层,暴露出该基底结构的表面,用以形成一第一导线和一第二导线,且该第一导线和该第二导线上覆盖着共形的该第一绝缘层;去除该第一导线上的该第一绝缘层,并且定义与该第二导线共形的该第一绝缘层以形成一栓塞;于该基底结构上形成一介电层,且暴露出该栓塞;于该介电层上形成一第二绝缘层,且覆盖该栓塞;定义该第二绝缘层以形成一沟渠,且暴露出该栓塞;移除该栓塞以形成一介层窗开口,并且暴露出该第二导线;于该介电层上形成一第二导电层,且填满该沟渠和该介层窗开口,其中该第二导电层与该第二导线电性耦接;以及对该第二导电层进行一平坦化制程,直至暴露出该第二绝缘层。2.如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌的制造方法,其中该第一导电层包括铜、铝和铝铜合金其中之一。3.如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌的制造方法,其中该第一绝缘层包括氮化矽层。4.如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌的制造方法,其中定义该第一绝缘层和该第一导电层的方法包括反应性离子蚀刻法。5.如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌的制造方法,其中该介电层包括氧化矽层。6.如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌的制造方法,其中该第二绝缘层包括氮化矽层。7.如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌的制造方法,其中移除该栓塞的方法包括湿式蚀刻法。8.如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌的制造方法,其中该第二导电层包括铜、铝和铝铜合金其中之一。9.如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌的制造方法,其中该平坦化制程包括化学机械研磨法。10.一种双重金属镶嵌的制造方法,包括下列步骤:提供一基底结构;于该基底结构上,形成一第一导电层和一第一绝缘层;定义该第一绝缘层和该第一导电层,暴露出该基底结构的表面,用以形成一导线,且该导线上覆盖着共形的该第一绝缘层;定义与该导线共形的该第一绝缘层以形成一栓塞;于该基底结构上形成一介电层,且暴露出该栓塞;于该介电层上形成一第二绝缘层,且覆盖该栓塞;定义该第二绝缘层以形成一沟渠,且暴露出该栓塞;移除该栓塞以形成一介层窗开口,并且暴露出该导线;于该介电层上形成一第二导电层,且填满该沟渠和该介层窗开口,其中该第二导电层与该导线电性耦接;以及对该第二导电层进行一平坦化制程,直至暴露出该第二绝缘层。11.如申请专利范围第10项所述之双重金属镶嵌的制造方法,其该第一导电层包括铜、铝和铝铜合金其中之一。12.如申请专利范围第10项所述之双重金属镶嵌的制造方法,其中该第一绝缘层包括氮化矽层。13.如申请专利范围第10项所述之双重金属镶嵌的制造方法,其中定义该第一绝缘层和该第一导电层的方法包括反应性离子蚀刻法。14.如申请专利范围第10项所述之双重金属镶嵌的制造方法,其中该介电层包括氧化矽层。15.如申请专利范围第10项所述之双重金属镶嵌的制造方法,其中该第二绝缘层包括氮化矽层。16.如申请专利范围第10项所述之双重金属镶嵌的制造方法,其中移除该栓塞的方法包括湿式蚀刻法。17.如申请专利范围第10项所述之双重金属镶嵌的制造方法,其中该第二导电层包括铜、铝和铝铜合金其中之一。18.如申请专利范围第10项所述之双重金属镶嵌的制造方法,其中该平坦化制程包括化学机械研磨法。19.一种双重金属镶嵌的制造方法,包括下列步骤:提供一基底结构;于该基底结构上形成一导线,且于该导线上形成一栓塞;于该基底结构上形成一介电层,且暴露出该栓塞;于该介电层上形成一第一绝缘层,且覆盖该栓塞;定义该第一绝缘层以形成一沟渠,且暴露出该栓塞;移除该栓塞以形成一介层窗开口,并且暴露出该导线;以及于该沟渠和该介层窗口中形成一第一导电层,且该第一导电层与该导线电性耦接。20.如申请专利范围第19项所述之双重金属镶嵌的制造方法,其中形成该导线和该栓塞的方法包括:于该基底结构上,形成一第二导电层和一第二绝缘层;定义该第二绝缘层和该第二导电层,暴露出该基底结构,用以形成该导线,且该导线上覆盖着共形的该第二绝缘层;以及定义与该导线共形的该第二绝缘层以形成该栓塞。21.如申请专利范围第20项所述之双重金属镶嵌的制造方法,其中该第二导电层包括铜、铝和铝铜合金其中之一。22.如申请专利范围第20项所述之双重金属镶嵌的制造方法,其中该第二绝缘层包括氮化矽层。23.如申请专利范围第20项所述之双重金属镶嵌的制造方法,其中定义该第二绝缘层和该第二导电层的方法包括反应性离子蚀刻法。24.如申请专利范围第19项所述之双重金属镶嵌的制造方法,其中该介电层包括氧化矽层。25.如申请专利范围第19项所述之双重金属镶嵌的制造方法,其中该第一绝缘层包括氮化矽层。26.如申请专利范围第19项所述之双重金属镶嵌的制造方法,其中移除该栓塞的方法包括湿式蚀刻法。27.如申请专利范围第19项所述之双重金属镶嵌的制造方法,其中该第一导电层包括铜、铝和铝铜合金其中之一。28.如申请专利范围第19项所述之双重金属镶嵌的制造方法,其中于该沟渠和该介层窗口中形成该第一导电层的方法更包括对该第一导电层进行一平坦化制程,直至暴露出该第一绝缘层。29.如申请专利范围第28项所述之双重金属镶嵌的制造方法,其中该平坦化制程包括化学机械研磨法。图式简单说明:第一图A至第一图G系绘示传统式双重金属镶嵌之制造流程的剖面示意图;以及第二图A至第二图G系绘示根据本发明之一较佳实施例,一种双重金属镶嵌之制造流程的剖面示意图。 |
