| 主权项 |
1.一种接触窗的制造方法,该制造方法至少包括下列步骤:提供一基底;在该基底上形成一介电层;在该介电层中形成一接触窗开口,且露出该基底;在该接触窗开口底部之该基底表面,进行一离子布植步骤;在该矽基底上,形成与该接触窗开口表面共形的一保护层;去除部份的该保护层,留下该接触窗开口的侧壁之该保护层;以及在该接触窗开口中形成一插塞与该基底电性耦接。2.如申请专利范围第1项所述之接触窗的制造方法,其中该接触窗开口的形成方法包括一非等向性蚀刻法。3.如申请专利范围第1项所述之接触窗的制造方法,其中该保护层包括一氮化矽层。4.如申请专利范围第1项所述之接触窗的制造方法,其中该保护层的形成方法包括一化学气相沈积法。5.如申请专利范围第1项所述之接触窗的制造方法,其中形成该保护层后,更包括进行一回火制程。6.如申请专利范围第1项所述之接触窗的制造方法,其中去除部份的该保护层的方法包括一反应性离子蚀刻法。7.如申请专利范围第1项所述之接触窗的制造方法,其中更包括一金属蒸镀前蚀刻。8.如申请专利范围第1项所述之接触窗的制造方法,其中在形成该插塞前,更包括在该接触窗开口形成一与接触窗开口表面共形的一黏着/阻障层。9.如申请专利范围第8项所述之接触窗的制造方法,其中该黏着/阻障层包括钛/氮化钛及钽/氮化钽,其中之一。10.一种接触窗的制造方法,该制造方法至少包括下列步骤:提供一基底;在该基底上形成一介电层;在该介电层中形成一接触窗开口,且露出该基底;在该接触窗开口底部之该基底表面,进行一离子布植步骤;在该矽基底上,形成与该接触窗开口表面共形的一氮化矽层;去除部份的该氮化矽层,留下该接触窗开口的侧壁之该氮化矽层;以及在该接触窗开口中形成一插塞。11.如申请专利范围第10项所述之接触窗的制造方法,其中该接触窗开口的形成方法包括一非等向性蚀刻法。12.如申请专利范围第10项所述之接触窗的制造方法,其中该氮化矽层的形成方法包括一化学气相沈积法。13.如申请专利范围第10项所述之接触窗的制造方法,其中形成该氮化矽层后,更包括进行一回火制程。14.如申请专利范围第10项所述之接触窗的制造方法,其中去除部份的该氮化矽层的方法包括一反应性离子蚀刻法。15.如申请专利范围第10项所述之接触窗的制造方法,其中更包括一金属蒸镀前蚀刻。16.如申请专利范围第10项所述之接触窗的制造方法,其中在形成该插塞前,更包括在该接触窗开口形成一与接触窗开口表面共形的一黏着/阻障层。17.如申请专利范围第16项所述之接触窗的制造方法,其中该黏着/阻障层包括钛/氮化钛及钽/氮化钽,其中之一。图式简单说明:第一图A至第一图E系显示一种习知技艺之接触窗制造流程的剖面图;以及第二图A至第二图E系显示根据本发明较佳实施例,一种接触窗的制造流程剖面图。 |
