| 主权项 |
1.一种双重扩散MOS电晶体,包含:一层第一导电型埋置层形成于半导体基材上;一层第一导电型外延层形成于半导体基材上,该半导体基材已经有一层第一导电型埋置层形成于其上;一层闸极电极形成于第一导电型外延层上而其中插置闸极绝缘膜;一层第一导电型源极区形成于第一导电型外延层表面且自行对正闸极电极;一层第一导电型汲极区形成于第一导电型外延层表面且非自行对正闸极电极;第二导电型本体区形成于第一导电型外延层表面待由第一导电型源极区包围;及第二导电型体偏压区形成于第二导电型本体区于第一导电型源极区下方。2.如申请专利范围第1项之双重扩散MOS电晶体,其又包含第一导电型槽区系形成于第一导电型汲极区下方至第一导电型埋置层而减少汲极电阻。3.如申请专利范围第1项之双重扩散MOS电晶体,其又包含绝缘层可形成于包含闸极电极之第一导电型外延层上,及金属层可形成于绝缘层上供接触闸极电极,第一导电型源极及汲极区,及第二导电型体偏压区。4.一种制造双重扩散MOS电晶体之方法,包含下列步骤:循序形成一层第一导电型埋置层及一层第一导电型外延层于半导体基材上;形成闸极电极于第一导电型外延层上而其间插置闸极绝缘膜;经由使用光罩藉离子植入第二导电型杂质而形成第二导电型本体区至第一导电型外延层表面;藉离子植入第一导电型杂质至所得结构体表面而形成第一导电型源极及汲极区于第一导电型外延层表面;及经由使用光罩离子植入第二导电型杂质至宽度比第一导电型源极区更小之区而形成第二导电型体偏压区于第一导电型源极区下方。5.如申请专利范围第4项之制造双重扩散MOS电晶体之方法,其又包含下列步骤:于循序形成第一导电型埋置层及第一导电型外延层之步骤后,第一导电型槽区可经由离子植入第一导电型杂质至汲极形成区及扩散离子植入杂质至第一导电型埋置层形成而减少汲极电阻。6.如申请专利范围第4项之制造双重扩散MOS电晶体之方法,其中于形成第一导电型源极及汲极区之步骤未使用光罩。7.如申请专利范围第4项之制造双重扩散MOS电晶体之方法,于形成第二导电型之体偏压区之步骤后,该方法又包含下列步骤:形成一层绝缘层于所得结构体表面;蚀刻绝缘层于宽度比第一导电层之源极区宽度更窄之区,及蚀刻第一导电型之暴露外延层之第二导电型之本体区;蚀刻第一导电型之汲极区上之绝缘层及闸极电极;及形成一层金属层于所得结构体表面。图式简单说明:第一图为习知DMOS电晶体之剖面图;第二图为根据本发明之DMOS电晶体之剖面图;及第三图至第九图为剖面图循序示例说明第二图所示DMOS电晶体之制程步骤。 |
