| 主权项 |
1.一可抑制火山形成的钨化学气相沈积之方法,包含:在第一压力下沈积第一钨成核层,其莲蓬头与加热器之间保持第一距离;在第二压力下沈积第二钨成核层,其莲蓬头与加热器之间保持第二距离,且该第二压力大于该第一压力,该第二距离大于该第一距离;以及沈积一钨薄膜。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该第一压力约为3-10torr。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该第二压力约为8-20torr。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该第一距离约为400-500mil。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该第二距离约为500-600mil。6.一种可抑制火山形成之钨化学气相沉积法,至少包含下列步骤:在压力3-10torr下沉积第一钨成核层,其中莲蓬头与加热器之间保持400-500mil;在压力8-20torr下沉积第二钨成核层,其中莲蓬头与加热器之间保持500-600mil;及沉积一钨薄膜。图式简单说明:第一图为火山上视图之显微照片;第二图显示在760℃的N2中进行30秒快速热氮化的溅镀钛薄膜之奥格图(Auger electron spectrometry, AES);第三图a显示如金字塔之火山显微照片;第三图b显示60倾斜之锥状火山显微照片;第三图c显示火山之TiN-W薄膜及气孔显微照片;第四图显示W-CVD系统之剖面图;第五图显示依本发明之制程的接触孔显微照片;且第六图显示在n+和p+扩散层之接触孔的接面漏电流特性。 |
