| 主权项 |
1.一种制造巨环聚酯寡聚物之方法,系包含将一种下列成分之混合物加热之步骤:(a)线型聚酯聚合物或寡聚物,其具有下列化学式之结构单元:,其中m是2至10,n是20至500,且A是一种单环或多环二价芳香族基,(b)有机溶剂,和(c)锡触媒,系选自具有至少一个键结到两个碳原子和一个或两个氧原子之锡原子的锡化合物。2.如申请专利范围第1项之制造巨环聚酯寡聚物之方法,其中m是2至4,且n是50至300。3.如申请专利范围第1项之制造巨环聚酯寡聚物之方法,其中A是一种单环二价芳香族基。4.如申请专利范围第3项之制造巨环聚酯寡聚物之方法,其中该单环二价芳香族基是一种1,3-或1,4-二价芳香族基。5.如申请专利范围第1项之制造巨环聚酯寡聚物之方法,其中A是一种多环二价芳香族基。6.如申请专利范围第5项之制造巨环聚酯寡聚物之方法,其中该多环二价芳香族基是一种1,4-、1,5-或2,6-伸基。7.如申请专利范围第1项之制造巨环聚酯寡聚物之方法,其中该线型聚酯聚合物或寡聚物是聚对苯二甲酸1,2-乙二酯、聚对苯二甲酸1,4-丁二酯或其共聚酯类。8.如申请专利范围第1项之制造巨环聚酯寡聚物之方法,其中该线型聚酯聚合物或寡聚物是聚2,6-伸基二甲酸1,2-乙二酯。9.如申请专利范围第1项之制造巨环聚酯寡聚物之方法,其中该锡触媒是一种二烷基锡氧化物或一种二烷基锡烷氧化物,其中该二烷基锡氧化物具有化学式:(R)2-Sn=O而二烷基锡烷氧化物具有化学式:(R)2-Sn-(O-R1)2其中各R是各自独立地为一种C1-10烷基,且各R1是各自独立地为一种C1-10分支或非分支之碳氢化合物或两者,两个R1之每一个形成二价脂肪族未取代或取代之碳氢化合物基。10.如申请专利范围第1项之制造巨环聚酯寡聚物之方法,其中该锡触媒具有化学式:其中各R2是各自独立地为一种C1-10烷基,且各R3是各自独立地为一种C1-4烷基或氢,而t是从1至5之数目。11.如申请专利范围第10项之制造巨环聚酯寡聚物之方法,其中该锡触媒具有化学式:其中各R2是各自独立地为一种C1-10烷基,且各R3是各自独立地为一种C1-4烷基或氢,各p是各自独立地为0至3,且Z是一种四价脂肪族碳氢化合物、一种四价碳原子或其中各R2和R3如前所定义,各q是各自独立地为1至4。12.如申请专利范围第11项之制造巨环聚酯寡聚物之方法,其中该锡触媒是3,3,9,9-四丁基-2,4,8,10-四(tetraoxa)-3,9-二锡螺[5,5]-十一烷。13.如申请专利范围第1项之制造巨环聚酯寡聚物之方法,其中该有机溶剂具有沸点为至少110℃。14.如申请专利范围第13项之制造巨环聚酯寡聚物之方法,其中该溶剂为:二甲苯、氯苯、、甲苯、四甲基苯、甲基、邻-二氯苯或其混合物。15.如申请专利范围第1项之制造巨环聚酯寡聚物之方法,其中混合物系于140℃至240℃之温度下加热。16.如申请专利范围第1项之制造巨环聚酯寡聚物之方法,其中该线型聚酯聚合物或寡聚物和有机溶剂产生一种具有浓度为少于0.30M之溶液(以聚合物之结构单元为基准)。17.如申请专利范围第1项之制造巨环聚酯寡聚物之方法,其中该锡触媒之采用量为从1.0至5.0莫耳%锡(对每一聚酯单体单元而言)。18.如申请专利范围第1项之制造巨环聚酯寡聚物之方法,其中该混合物变成一种产物溶液,其冷却至温度为介于50℃至100℃,以将线型聚酯沈淀并制得一种含有该巨环聚酯寡聚物溶解于其中之溶液。19.如申请专利范围第18项之制造巨环聚酯寡聚物之方法,其中该巨环聚酯寡聚物是藉由将溶剂蒸发而从该溶液中回收。 |
