| 主权项 |
1.一种用于有害气体之清洁方法,此方法包括至少在200℃之温度下,使含有自氟化氮、氟化钨、氟化矽,氟化氢和氟所组成之该群中所选出之至少一成员的有害气体与包含氧化亚锡作为有效成份之清洁剂接触。2.如申请专利范围第1项之方法,其中,该有害气体含有三氟化氮。3.如申请专利范围第1项之方法,此方法另外包括:使含有三氟化氮作为有害组份连同自氟化钨,氟化矽,氟化氢和氟所组成之该群中所选出之至少一成员作为有害组份的有害气体与至少一种选自氧化锌及氢氧化锶为主成分之清洁剂接触之预处理步骤。4.如申请专利范围第1至第3项中任一项之方法,其中该清洁剂系经由在氮之大气中,热乾燥予以制备。5.如申请专利范围第1至第3项中之任一项之方法,其中在200至800℃范围内之温度下,使有害气体与清洁剂接触。6.如申请专利范围第1至第3项中之任一项之方法,其中包含氧化亚锡作为有效成份之清洁剂另外包括一种金属氟化物作为模塑助剂。7.如申请专利范围第6项之方法,其中清洁剂中,氧化亚锡:模塑助剂的以重量计比率是在1:(0.001至0.6)之范围内。8.如申请专利范围第6项之方法,其中金属氟化物是氟化钾或氟化钾与氟化钙的联合体。9.如申请专利范围第8项之方法,其中该金属氟化物是氟化钾和氟化钙的组合物,且清洁剂中之氧化亚锡:氟化钾:氟化钙的以重量计比率是1:(0.001至0.15):(0.01至0.60)。10.如申请专利范围第8项之方法,其中清洁剂中之氧化亚锡:氟化钙的以重量计比率是1:至少0.05,及至少在250℃之温度下使有害气体与该清洁剂接触。11.如申请专利范围第1至第3项中之任一项之方法,其中该有害气体是来自半导体制造装置之废气。 |
