| 主权项 |
1.一种半导体装置之化学机械抛光方法,其包含以下之步骤:提供一半导体装置(5),其具有一装置前表面(75)以及一装置背面(6),该装置前表面(75)系一金属层之上表面;第一次以一第一媒质抛光该装置前表面(75),以使其露出一装置第二前表面(35),该第一媒质系包含一第一研磨剂成分以及一第一化学溶液;以水清洗该装置背面(6);以及第二次以一第二媒质(155)抛光该装置第二前表面(35),该第二媒质(155)系包含一第二研磨剂成分以及一第二化学溶液。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中该第一研磨剂成分以及该第一化学溶液,系包含一第一泥浆(150),而该第二研磨剂成分以及该第二化学溶液则系包含一第二泥浆(155)。3.根据申请专利范围第2项之方法,其中该第一次抛光装置前表面之步骤系进一步包含以下之步骤:将该半导体装置置入于一承载器(125)中,而该半导体装置系经由一真空吸引器(210)而置入于承载器(125)中,使得该半导体装置之装置背面(6)系面对该承载器(125);喷洒该第一泥浆(150)于第一研磨垫(195)上,在一第一抛光站(115),该第一研磨垫(195)系覆盖在一第一滚筒(130)上;藉由脱离该真空吸引器(210)而将半导体装置定位在该第一抛光站(155)上,以使该半导体装置接触该覆盖在第一滚筒(130)上之第一研磨垫(195),使得该半导体装置之装置前表面(75)系接触第一研磨垫(195);以及将承载器(125)与第一滚筒(130)相对于彼此而转动之,使得在承载器(125)中之装置前表面(75),与在第一滚筒(130)上转动之第一研磨垫(195)接触,以抛光该装置前表面(75)。4.根据申请专利范围第3项之方法,其中该清洗半导体装置之装置背面(6)之步骤,系进一步包含当该真空吸引器(210)脱离时以水清洗该装置背面(6)之步骤,其中该水系在第一抛光站(115)中,于该半导体装置之装置背面(6)与承载器(125)之间流动。5.根据申请专利范围第2项之方法,其中该第二次抛光装置前表面之步骤系进一步包含以下之步骤:将该半导体装置置入于一承载器(125)中,而该半导体装置系经由一真空吸引器(210)而置入于承载器(125)中,使得该半导体装置之装置背面(6)系面对该承载器(125);喷洒该第二泥浆(155)于第二研磨垫(196)上,在一第二抛光站(120),该第一研磨垫(196)系覆盖在一第二滚筒(128)上;藉由脱离该真空吸引器(210)而将半导体装置定位在该第二抛光站(120)上,以使该半导体装置接触该覆盖在第二滚筒(128)上之第二研磨垫(196),使得该半导体装置之装置第二前表面(85)系接触第二研磨垫(196);以及将承载器(125)与第二滚筒(128)相对转动,使得在承载器(125)中之装置第二前表面(85),与在第二滚筒(128)上转动之第二研磨垫(196)接触,以抛光该装置第二前表面(85)。图式简单说明:第一图系欲采用本发明之CMP方法来加以抛光之半导体装置之截面视图;第二图系第一图所示之欲以本发明之CMP方法加以抛光之半导体装置之一部分的立体分解视图;第三图系半导体装置其经过本发明之CMP方法之第一抛光步骤之后的截面视图:第四图系半导体装置其经过本发明之CMP方法之第二抛光步骤之后的截面视图;第五图系实施本发明之CMP方法之一实施例的顶视图;第六图系实施例本发明之CMP方法之一实施例的侧视图;第七图系上述揭露之实施例,其实施本发明之CMP方法的流程图;以及第八图系一图表,其中显示采用本发明之方法而在一半导体装置上降低微粒污染物之图表。 |
