| 主权项 |
1.一种半导体混合元件之制造方法,包括下列步骤:提供一基底,该基底已形成一闸极氧化层及元件隔离区,于该闸极氧化层及该元件隔离区上形成一共形的复晶矽层;在该复晶矽层上,形成一共形的介电层;定义该介电层,以形成一复晶矽间氧化层;在该复晶矽层及该复晶矽间氧化层上,形成一共形的导电材料层;以及定义该导电材料层和该复晶矽层,并且去除未被该复晶矽间氧化层所覆盖之该复晶矽层,直至裸露出该闸极氧化层及该元件隔离区,以在该基底上形成一闸极和一电容器。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该介电层包括氧化矽层。3.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该介电层包括氧化矽/氮化矽/氧化矽复合材料层。4.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该导电材料层包括矽化钨层、矽化钛层和矽化钴层其中之一。5.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该元件隔离区包括场氧化层。6.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中形成该复晶矽层的方法包括化学气相沉积法。7.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中定义该介电层的方法包括非等向性蚀刻法。8.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中形成该导电材料层的方法包括化学气相沉积法。9.一种半导体混合元件之制造方法,包括下列步骤:提供一基底,该基底已形成一闸极氧化层及元件隔离区,于该闸极氧化层及该元件隔离区上形成一共形的导电层;在该导电层上,形成一共形的介电层;定义该介电层上,以形成一复晶矽间氧化层;在该导电层及该复晶矽间氧化层上,形成一共形的导电材料层;定义该导电材料层和该导电层,并且去除未被该复晶矽间氧化层所覆盖之部分的该导电层,直至裸露出该闸极氧化层及该元件隔离区,以在该基底上形成一闸极和一电容器。10.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中该导电层包括复晶矽层。11.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中该介电层包括氧化矽层。12.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中该介电层包括氧化矽/氮化矽/氧化矽复合材料层。13.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中该导电材料层包括矽化钨层、矽化钛层和矽化钴层其中之一。14.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中该元件隔离区包括场氧化层。15.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中形成该导电层的方法包括化学气相沉积法。16.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中去除未被该第一罩幕层所覆盖之部分的该介电层的方法包括非等向性蚀刻法。17.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中形成该导电材料层的方法包括化学气相沉积法。图式简单说明:第一图A至第一图H显示习知一种半导体混合元件之制造流程的剖面示意图;以及第二图A至第二图F显示本发明一较佳实施例之一种半导体混合元件制造流程的剖面示意图。 |
