| 主权项 |
1.一种IC模组,其特征为:具备基板,及端子部,及IC晶片,及连接端子部与IC晶片的连接部,及覆盖IC晶片与连接部所设置的树脂封闭部;树脂封闭部系由树脂成分与固体成分所构成,树脂封闭部之最表面近旁之树脂成分与固体成分的重量比,系成为90:10-100:0,树脂封闭部之最表面的组织系由树脂成分,及比该树脂成分占有较小面积的固体成分所构成者。2.如申请专利范围第1项所述之IC模组,其中,树脂封闭部之树脂成分,系弯曲弹性模数为1400kgf/mm2以上,且弯曲破坏强度为11kgf/mm2以上者。3.如申请专利范围第1项所述之IC模组,其中,树脂封闭部之最表面近旁的树脂成分与固体成分之重量比系成为100:0,而树脂封闭部之最表面的组织系仅由树脂成分所构成者。4.如申请专利范围第1项所述之IC模组,其中,在基板上设置围绕树脂封闭部之框者。5.如申请专利范围第4项所述之IC模组,其中,框之高度/树脂封闭部之高度系成为0.98-3.19%者。6.如申请专利范围第1项所述之IC模组,其中,基板与端子部系总厚度成为130m以下,作为整体具有柔软构造者。7.一种IC模组,其特征为:具有IC晶片,及覆盖IC晶片之树脂封闭部;树脂封闭部系含有环氧系树脂,介经硬化处理前之25℃的粘度値为50-90Pa.s,触变指数値为1.2-1.6的IC模组用封闭树脂之硬化处理所形成者。8.如申请专利范围第7项所述之IC模组,其中,25℃之上述IC模组用封闭树脂之粘度値为50-70Pa.s,触变指数値为1.2-1.4者。9.如申请专利范围第7项所述之IC模组,其中,硬化处理后之上述IC模组用封闭树脂之弯曲弹性模数为1400ICkgf/mm2以上且弯曲破坏强度为11kgf/mm2以上者。10.一种IC卡,其特征为:具备基板,及端子部,及IC晶片,及连接端子部与IC晶片的连接部,及覆盖IC晶片与连接部所设置的树脂封闭部;树脂封闭部系由树脂成分与固体成分所构成,树脂封闭部之最表面近旁之树脂成分与固体成分的重量比,系成为90:10-100:0,树脂封闭部之最表面的组织系由树脂成分,及比该树脂成分占有较小面积的固体成分所构成的IC模组,及具备装设该IC模组之凹部所形成的卡基体者。11.如申请专利范围第10项所述之IC卡,其中,IC模组之树脂封闭部之至少一部分,经由卡基体与填料相接触者。12.如申请专利范围第11项所述之IC卡,其中,填料系黏接IC模组之树脂封闭部与卡基体的氰基丙烯酸酯系树脂作为主成分的黏接剂所构成者。13.如申请专利范围第10项所述之IC卡,其中,卡基体之凹部的剖面形状,系大约对应于树脂封闭部之剖面形状者。14.如申请专利范围第13项所述之IC卡,其中,卡基体之凹部的部面形状,系从周缘向中央徐徐地变深的复数段差部所形成者。15.如申请专利范围第14项所述之IC卡,其中,在卡基体之凹部的剖面形状,周缘侧段差部之深度与中央侧段差部之深度的相差系成为100m以上者。16.如申请专利范围第10项所述之IC卡,其中,在卡基体之凹部周缘,形成有周缘沟者。17.如申请专利范围第16项所述之IC卡,其中,周缘沟之深度,系成为凹部中央部深度之1/4以上者。18.一种IC卡,其特征为:具有基板,及IC晶片,及覆盖IC晶片之树脂封闭部的IC模组,及形成有装设该IC模组之凹部的卡基体;树脂封闭部系含有环氧系树脂,介经硬化处理前之25℃的粘度値为50-90Pa.s,触变指数値为1.2-1.6的IC模组用封闭树脂之硬化处理所形成者。19.如申请专利范围第18项所述之IC卡,其中25℃之上述IC模组用封闭树脂之粘度値为50-70Pa.s,触变指数値为1.2-1.4者。20.如申请专利范围第18项所述之IC卡,其中,硬化处理后之上述IC模组用封闭树脂之弯曲弹性模数为1400ICkgf/mm2以上且弯曲破坏强度为11kgf/mm2以上者。21.一种IC模组之制造方法,其特征为:具备准备基板的工程,及设置端子部的工程,及设置IC晶片的工程,及经由连接部连接端子部与IC晶片的工程,及将IC晶片向上方,且将树脂成分与固体成分所构成之树脂溶液配置在IC晶片与连接部之周围的工程,及硬化树脂溶液俾形成树脂封闭部,同时树脂封闭部之最表面之树脂成分与固体成分的重量比系成为90:10-100:0,而树脂封闭部之最表面之组织由树脂成分,及比该树脂成分占有较小面积的固体成分所构成的工程等。22.一种IC模组之制造方法,其特征为:具备准备基板的工程,及设置端子部的工程,及设置IC晶片的工程,及电气式地连接上述IC晶片与上述端子部的工程,及介经含有环氧系树脂,且硬化处理前之25℃的粘度値为50-90Pa.s,触变指数値为1.2-1.6的IC模组用封闭树脂来覆盖上述IC晶片的工程,及硬化上述IC模组用封闭树脂的工程。23.如申请专利范围第22项所述之IC模组之制造方法,其中,25℃之上述IC模组用封闭树脂之粘度値为50-70Pa.s,触变指数値为1.2-1.4者。24.如申请专利范围第22项所述之IC模组之制造方法,其中,硬化处理后之上述IC模组用封闭树脂之弯曲弹性模数为1400kgf/mm2以上且弯曲破坏强度为11kgf/mm2以上者。25.一种IC模组用封闭树脂,其特征为:含有环氧系树脂,硬化处理前之25℃的粘度値为50-90Pa.s,触变指数値为1.2-1.6,使用于封闭搭载于IC模组用基板的IC晶片。26.如申请专利范围第25项所述之IC模组用封闭树脂,其中,25℃之上述粘度値为50-90Pa.s,触变指数値为1.2-1.4者。27.如申请专利范围第25项所述之IC模组用封闭树脂,其中,硬化处理后之弯曲弹性模数为1400kgf/mm2以上且弯曲破坏强度为11kgf/mm2以上者。图式简单说明:第一图系表示依本发明之第1实施形态之IC模组的侧剖面图。第二图系表示依本发明之第1实施形态之IC卡的侧剖面图。第三图系表示之IC卡之点压强度的图式。第四图系表示之IC卡之其他实施形态的图式。第五图系表示之IC卡之另一实施形态的图式。第六图系表示之IC卡之另一实施形态的图式。第七图系表示将黏接剂填充于IC卡与卡基体之间之状态的图式。第八图(a)至第八图(c)系表示具有特殊基板之孔径形状之IC卡的图式。第九图(a)至第九图(c)系表示具有特殊基板之孔径形状之IC卡的图式。第十图系表示树脂封闭部与框之关系的图式。第十一图系表示本发明之第2实施形态之IC模组的剖面图。第十二图系表示本发明之第2实施形态之IC卡的剖面图。第十三图系本发明的IC卡之点压力耐性之试验结果的图式。 |
