具有参照记忆胞阵列区块之铁电动态随机存取记忆体元件

摘要

本发明揭露一种铁电动态随机存取记忆体元件。根据本发明之铁电动态随机存取记忆体元件，复数参照记忆胞阵列区块系实施于一参照记忆胞阵列中。如果从该参照记忆胞阵列所选择出之一个参照记忆胞阵列所产生之参照电压系朝逻辑资料"l"或"0"偏压，所选择之参照记忆胞阵列系改变至未选择之参照记忆胞阵列之一，未选择之参照记忆胞阵列所具有之铁电电容系小于或大于所选择之参照记忆胞阵列之铁电电容之尺寸。这使得改变后参照记忆胞阵列区块能在晶圆阶段提供参照电压至参照位元线。因此，记忆胞之感应限度变得更大，使得铁电动态随机存取记忆体元件之可靠度得以改善。

主权项

1.一种非挥发性半导体记忆体元件,包括:一阵列,具有复数位元线,与该位元线相交错之复数字元线,以及复数铁电记忆胞,各铁电记忆胞系位于该位元线与该字元线之交错处;一参照记忆胞阵列,具有复数参照位元线,各参照位元线系相关于该位元线,以及共同耦合至该参照位元线之复数参照记忆胞阵列区块,各参照记忆胞阵列具有一参照字元线与复数参照记忆胞,各参照记忆胞系位于该参照字元线与该参照位元线之交错处;以及一感应放大器,其连接至该位元线与该参照位元线,藉由使用该参照记忆胞阵列所产生之一参照电压而将一定位址之铁电记忆胞所储存之资料给予感应与放大;其中该感应放大器所使用之该参照电压在晶圆测试模式时,可由该参照记忆胞阵列区块来改变。2.如申请专利范围第1项所述之非挥发性半导体记忆体元件,其中各别参照记忆胞阵列区块之各参照记忆胞包括一铁电电容,其中该参照记忆胞阵列区块之一所包括之各铁电电容所具有之尺寸相同于各铁电记忆胞所具有之铁电电容之尺寸。3.如申请专利范围第2项所述之非挥发性半导体记忆体元件,其中各个其余参照记忆胞阵列区块所包括之铁电电容之尺寸不同于该铁电记忆胞之铁电电容之尺寸。图式简单说明:第一图系铁电记忆胞之等效电路图;第二图系显示铁电电容之磁滞特征;第三图系描绘FRAM元件之问题之图示;第四图系发明之实施例之FRAM元件之电路图;第五图A至第五图C系发明之参照记忆胞阵列区块之详细电路图;以及第六图系描绘发明之改善之图示。