使用研磨终止层之复晶矽插塞改良制程

摘要

DRAM之柱状电容器的制程中，常利用一化学性研磨处理以形成复晶矽插塞，若使用复晶矽专用研磨液(slurry)与研磨机台，将增加制程的复杂度和生产成本，而若使用一般的氧化矽研磨液，又会造成下方复晶矽层间氧化层(IPO)的厚度不易控制。因此，本发明提出一种制作复晶矽插塞的改良方法，其先在IPO上方沈积一氮化矽层当作研磨终止层，然后在IPO中蚀刻出接触开口，并沈积一复晶矽层覆于上方。接着，便可使用氧化矽研磨液作化学性机械研磨处理，去除复晶矽层位于IPO上方的部分，而留下位于接触开口中的部分形成复晶矽插塞，藉此简化制程步骤并避免IPO受过度研磨。

主权项

1.一种使用研磨终止层(polishing stop layer)之复晶矽插塞(plug)改良制程,包括下列步骤:提供一半导体基底,其上形成有第一复晶矽层图案;形成一复晶矽层间氧化层(IPO),覆盖在第一复晶矽层图案和该半导体基底的表面上;使用一氧化矽研磨液(slurry)对该复晶矽层间氧化层作一化学性机械研磨(CMP)处理,以形成一平坦表面;形成一研磨终止层于在该复晶矽层间氧化层上;选择性蚀刻该研磨终止层和该复晶矽层间氧化层的部分区域,以形成一接触开口而显露第一复晶矽层图案;形成第二复晶矽层填入该接触开口,并覆盖在该研磨终止层表面上;以及使用该氧化矽研磨液作另一次化学性机械研磨处理,以去除第二复晶矽层位于该研磨终止层表面上的部分,而留下位于该接触开口内的部分形成一复晶矽插塞。2.如申请专利范围第1项所述一种使用研磨终止层之复晶矽插塞改良制程,其中该研磨终止层系一氮化矽层。3.如申请专利范围第2项所述一种使用研磨终止层之复晶矽插塞改良制程,其中系施行一电浆加强化学气相沈积(PECVD)程序以形成该氮化矽层。4.如申请专利范围第2项所述一种使用研磨终止层之复晶矽插塞改良制程,其中系施行一低压化学气相沈积(LPCVD)程序以形成该氮化矽层。5.如申请专利范围第2项所述一种使用研磨终止层之复晶矽插塞改良制程,其中该氮化矽层的厚度系介于500埃和1500埃之间。6.如申请专利范围第1项所述一种使用研磨终止层之复晶矽插塞改良制程,其中上述两次化学性机械研磨处理均系于相同研磨机台中进行者。