| 主权项 |
1.一种用以形成一半导体元件的电容器的方法,该电容器在一个上电极和一个下电极之间具有一介电薄膜,其中介电层在下电极经预烘以去除湿气表面上的污染物之后再镀在下电极上。2.如申请专利范围第1项的方法,其中下电极的预烘温度范围为200-300℃。3.如申请专利范围第2项的方法,其中该预烘是在300℃的温度下进行30秒左右。4.如申请专利范围第1项的方法,其中下电极是由贵金属材料所形成。5.如申请专利范围第4项的方法,其中下电极是由一层从铂,铱,钌构成的族中所选出的材料中形成。6.如申请专利范围第1项的方法,其中的介电薄膜是含有铅,钡材料钙钛矿结晶结构的铁电薄膜。7.如申请专利范围第6项的方法,其中的铁电薄膜为含有铅的钙钛矿结晶结构,此结构是由PZT(Pb(Zr,Ti)O3,PTO(PbTiO3)和PLZTO(Pb,La)(Zr,Ti)O3层所组成的群组中选出的。8.如申请专利范围第6项的方法,其中的铁电薄膜含有钡的钙钛矿结晶结构,该结构是从BTO(BaTiO3)和BSTO(Ba,St)TiO3层所组成的群族中所选出的。9.如申请专利范围第1项的方法,其中的介电薄膜是具有铋层状结构的铁电薄膜。10.如申请专利范围第9项的方法,其中具有铋层状结构的铁电薄膜是一层SBTO(SrBi2Ta3O9)的层。11.如申请专利范围第1项的方法,其中介电薄膜是由溶液凝胶法、化学气相蒸镀、溅镀、脉冲雷射镀膜所组成的群组选出的方法所形成的。图式简单说明:第一图所示为以传统形成一个半导体元件的电容器之方法所得之截面图。第二图的平面图表示传统方法的问题。第三图至第五图显示一个根据本发明之较佳实例之形成半导体元件的电容器之方法所形成的截面图。第六图表示利用本发明方法形成介电薄膜之后所获得结构的平面图。第七图是传统方法形成的介电薄膜和本发明方法形成的介电薄膜的残留极化特性比较图。 |
