| 摘要 |
교류 및 직류 전원의 고 전압에서 저 전압의 직류 전원으로 변환하는 전압 변환 장치에서, 별도의 통상 변압 회로의 구성과 제너 다이오드(Zener diode) 소자의 구성이 없으며, 음의 게이트 소스간의 전압(negative Vgs) 특성을 갖는 디플리션 엔모스(depletion NMOS(N-type metal oxide semiconductor)) 전계 효과 트랜지스터(FET(field effect transistor))의 구성, 즉, 음의 문턱전압 5-단자 엔모스 트랜지스터 소자(negative threshold 5-terminal NMOS FET)의 소자를 포함함을 특징으로 한다. 따라서, 통상 변압 회로(100) 및 제너 다이오드(Zener diode)(104)회로 영역의 구성을 제거하여 통상 변압 회로(100) 및 제너 다이오드(Zener diode)(104)회로 영역에서 차지하는 면적을 제거하여 저 비용 회로의 구현이 가능하고, 대기 및 동작 전력 손실을 차단하여 대기 및 동작 전원 공급 상태에서 전력 소모가 없는 회로의 구현이 가능하고, 고 전압 공급 전원 영역까지 프리 전압(free voltage) 동작 구현을 특징으로 하는 전력 공급 장치이다. 또한, N 배수의 전압을 제어 회로의 전원으로 사용해서 높은 전압으로 음의 문턱전압 5-단자 엔모스 트랜지스터 소자(negative threshold 5-terminal NMOS FET)의 게이트(Gate) 전압을 제어하여 전력 증폭(Power Amplification) 구현을 특징으로 하는 전력 공급 장치이다. |
