| 主权项 |
1.一种光电转换装置,包含:多数测光器,根据入射光量输出电讯号;一操作放大器,具MOS电晶体;一输出电路,其中多数测光器,操作放大器及输出电路一体形成于单一半导体基底上,操作放大器及输出电路就自测光器输出之电讯号执行阻抗转变。2.如申请专利范围第1项之光电转换装置,其中输出电路包含:第一源极跟随电路,使用n通道MOS电晶体;及第二源极跟随电路,使用p通道MOS电晶体以驱动外部负载,第一源极跟随电路之输出输入至外部负载,外部负载之输出进入操作放大器负输入端。3.如申请专利范围第2项之光电转换装置,其中就输出电路,第一源极跟随电路之n通道MOS电晶体之汲极与电流间提供降压机构。4.如申请专利范围第3项之光电转换装置,其中使用pMOS电晶体,电阻或二极体构成降压机构。5.如申请专利范围第1项之光电转换装置,其中提供第二导通式多数半导体区于第一导通式半导体基底表面上而形成多数测光器。6.如申请专利范围第5项之光电转换装置,其中第一导通式为n导通式,第二导通式为p导通式。7.如申请专利范围第2项之光电转换装置,其中第二源极跟随电路具二p通道MOS电晶体,而二p通道MOS电晶体串联于电源与地之间,输入讯号加至地侧p通道MOS电晶体之闸极,一讯号由二p通道MOS电晶体之接点输出,地侧p通道MOS电晶体之门槛电压绝对値低于电源侧p通道MOS电晶体者。8.如申请专利范围第7项之光电转换装置,其中电源侧p通道MOS电晶体形成于杂质浓度较n式半导体基底者高之n式井上,地侧p通道MOS电晶体形成于n式井外之n式半导体基底上。9.如申请专利范围第7项之光电转换装置,其中就输出电路,降压机构提供于第一源极跟随电路之n通道MOS电晶体汲极与电源之间。10.如申请专利范围第9项之光电转换装置,其中压降机构使用pMOS电晶体,电阻或二极体构成。11.如申请专利范围第7项之光电转换装置,其中提供第二导通式多数半导体区于第一导通式半导体基底表面上,形成多数测光器。12.如申请专利范围第11项之光电转换装置,其中第一导通式为n导通式,第二导通式为p导通式。13.一种影像感应器,具多数光电转换装置形成一单一半导体基底上,其中各光电转换装置包含:多数测光器,根据入射光量输出电讯号;一操作放大器,具MOS电晶体;一输出电路,其中多数测光器,操作放大器及输出电路一体形成于单一半导体基底上,操作放大器及输出电路就自测光器输出之电讯号执行阻抗转变。14.如申请专利范围第13项之影像感应器,其中输出电路包含:第一源极跟随电路,使用n通道MOS电晶体;及第二源极跟随电路,使用p通道MOS电晶体以驱动外部负载,第一源极跟随电路之输出输入至外部负载,外部负载之输出进入操作放大器负输入端。15.如申请专利范围第14项之影像感应器,其中第二源极跟随电路具二p通道MOS电晶体,而二p通道MOS电晶体串联于电源与地之间,输入讯号加至地侧p通道MOS电晶体之闸极,一讯号由二p通道MOS电晶体之接点输出,地侧p通道MOS电晶体之门槛电压绝对値低于电源侧p通道MOS电晶体者。16.如申请专利范围第15项之影像感应器,其中电源侧p通道MOS电晶体形成于杂质浓度较n式半导体基底者高之n式井上,地侧p通道MOS电晶体形成于n式井外之n式半导体基底上。17.如申请专利范围第14项之影像感应器,其中就输出电路,降压机构提供于第一源极跟随电路之n通道MOS电晶体汲极与电源之间。18.如申请专利范围第17项之影像感应器,其中压降机构使用pMOS电晶体,电阻或二极体构成。19.如申请专利范围第13项之影像感应器,其中提供第二导通式多数半导体区于第一导通式半导体基底表面上,形成多数测光器。20.如申请专利范围第14项之影像感应器,其中第一导通式为n导通式,第二导通式为p导通式。图式简单说明:第一图为本发明第一例光电转换装置具多数测光器及周边电路一体形成于单一半导体基底上之型态。第二图为第一图沿线A-A′截面图;第三图为本发明第一例光电转换装置电路型态;第四图为本发明第一例影像感应器示意图;第五图为本发明第二例光电转换装置电路型态;第六图为pMOS源极跟随电路部分截面图;第七图为习知光电转换装置电路型态;第八图为第七图光电转换装置所用CMOS操作放大器电路图;第九图为基底电流及汲极电流相对MOS电晶体之闸极电压;第十图A为习知一维影像感应器结构;及第十图B为习知影像感应器中离散载子引起产生之固定图案噪讯。 |
