| 主权项 |
1.一种用以承载晶片之测试装置,该测试装置至少包含:复数个内引脚,用以提供该晶片作电性连结之用,其中该晶片具有复数个导电性凸块;金属层,形成于该内引脚之表面上,用以固定该晶片于该复数个内引脚上,其中该金属层之熔点小于该导电性凸块之熔点;黏着物质,贴附于该复数个内引脚之下表面,用以固定该复数个内引脚;及载体装置,用以连结并承载该复数个内引脚,且提供该复数个内引脚作为电性连结之用。2.如申请专利范围第1项之测试装置,其中上述之载体装置更包括凸出部份,以提供该测试装置可直接配合tsop(II)44-pin自动化测试设备进行测试。3.如申请专利范围第1项之测试装置,其中更包含媒介层,形成于该金属层之上,作为该复数个导电性凸块与该金属层间接触之介面,其中该媒介层之熔点小于该导电性凸块之熔点。4.如申请专利范围第3项之测试装置,其中上述之媒介层为助焊剂(flux)。5.如申请专利范围第3项之测试装置,其中上述之媒介层为锡膏(solder paste)。6.如申请专利范围第1项之测试装置,其中上述之金属层是由沾锡性金属材料所构成。7.如申请专利范围第6项之测试装置,其中上述之沾锡性金属材料包含焊锡(solder)。8.如申请专利范围第6项之测试装置,其中上述之沾锡性金属包含电镀锡铅。9.如申请专利范围第1项之测试装置,其中上述之复数个内引脚及该黏着物质层可使用电路板或软性电路板加以取代。10.如申请专利范围第1项之测试装置,其中更包括一保护装置,用以固定并保护该载体装置以及位于该载体装置上之元件,该保护装置至少包含:一底板,用以承载该载体装置;一导轨,位于该底板上,用以承载该复数个内引脚;及一盖板,覆盖于该底板、该导轨、与载体装置等元件之上,以固定并保护该载体装置以及位于该载体装置上之元件。11.如申请专利范围第10项之测试装置,其中当上述之载体装置放置于该保护装置内,可将该保护装置放置于一加热平台上进行加热,当加热温度高于该金属层之熔点时,可使进行测试之该晶片自该复数个内引脚上脱离。12.如申请专利范围第1项之测试装置,其中上述之黏着物质包含一胶带。13.一种测试晶片之方法,该方法至少包含:连结该晶片于一导线架上,其中该导线架用以承载该晶片,且具有复数个内引脚以提供该晶片电性连结至测试设备,而该晶片则具有复数个导电性凸块以连结于该复数个内引脚;进行测试程序,以控制该晶片之品质;且分离该晶片与导线架,使测试完之该晶片自复数个内引脚上脱离。14.如申请专利范围第13项之方法,其中上述之内引脚之上表面具有沾锡性金属层,以提供该晶片固定于该复数个内引脚上,其中该沾锡性金属层之熔点小于该复数个导电性凸块之熔点。15.如申请专利范围第14项之方法,更包括一加热程序,以熔解位于内引脚上表面之沾锡性金属层,使该晶片之复数个导电性凸块可藉着该熔解之沾锡性金属层固定于该复数个内引脚上。16.如申请专利范围第14项之方法,其中在上述之沾锡性金属上表面具有媒介层,使该晶片之复数个导电性凸块与该金属层,藉由该媒介层之导引而产生连结,其中该媒介层之熔点小于该导电性凸块之熔点。17.如申请专利范围第14项之方法,其中上述之沾锡性金属之熔点高于该测试程序之最高温度。18.如申请专利范围第13项之方法,其中上述分离该晶片与该导线架之步骤是藉着加热该导线架,使位于该复数个内引脚上之沾锡性金属发生熔解而完成。19.如申请专利范围第12项之方法,其中上述之复数个内引脚具有黏着物质,黏贴于该复数个内引脚之下表面,以固定该复数个内引脚,其中该黏着物质包含一胶带。20.如申请专利范围第12项之方法,其中在进行上述分离该晶片与该导线架之步骤时,须先将该导线架放置于一保护装置内,再将该保护装置放于一加热平台上进行加热,以完成该分离该晶片与该导线架。图式简单说明:第一图所显示为根据本发明提供之导线架其结构之截面图。第二图所显示为根据本发明将所测试之晶片连结至该导线架上其结构之截面图。第三图所显示为根据本发明提供载体装置其截面图与俯视图。第四图所显示为根据本发明提供之另一实施例其截面图与俯视图。第五图所显示为根据本发明提供之保护装置其截面图。第六图所显示为根据本发明将载体装置放置于保护装置上之截面图。第七图所显示为根据本发明将载体装置放置于保护装置上之截面图。第八图所显示为根据本发明加热该保护装置使该晶片自导线架上脱离之截面图。 |
