| 主权项 |
1.一种以非结晶硅为半导体材料的薄层电晶体之生产方法,其中,生产步骤的特征如下:-在玻璃基底11上离析出第一层导电层10和对该作为电晶体闸极G之导电层10予以结构化;-设置一闸极-绝缘体层12;-设置非结晶硅13;-腐蚀停止层14的设置和结构化;-为汲极-连接D和源极-连接S设置第二层导电层15;-以腐蚀停止层14作为半导体通道的植入保护层,将离子放射透过第二层导电层15而植入非结晶硅层13内;-将第二层导电层15予以结构化来作为汲极-接触D和源极一接触S;-植入的非晶硅层13会连同腐蚀停止层14和第二层导电层15而结构化成为遮蔽物。2.依据申请专利范围第1项所述之方法,其中为了降低电阻,在离子放射植入后,可以设置另一导电层。3.依据申请专利范围第1项所述之方法,其中将磷-原子植入非结晶硅层13内。4.依据申请专利范围第1项所述之方法,其中闸极-绝缘体12是使用氮化硅作为材料。5.依据申请专利范围第1项所述之方法,其中腐蚀停止层14是使用氮化硅作为材料。6.依据申请专利范围第1项所述之方法,其中闸极-绝缘体、非结晶硅和腐蚀停止层就可以在没有PECVD-系统的真空中断下进行离析。7.依据申请专利范围第1项所述之方法,其中导电层1 0.15是使用金属来作为材料。8.依据申请专利范围第1项所述之方法而制成的薄层电晶体,其中具有一透过离子植入的掺杂非结晶硅层13。9.依据申请专利范围第8项所述之薄层电晶体,其中在硅层13内的掺杂分布之最大値是设在该层的表面上。图式简单说明:第一图(a)-(g)图示系为在生产过程中不同阶段时的薄层电晶体之剖面图。 |
