| 主权项 |
1.一种在半导体底材上制造电晶体之方法,其中该半导体底材具有一矽层于隔离结构上,且该方法至少包括下列步骤:形成一下埋式氧化层于半导体底材中;形成一垫氧化层于该半导体底材上,并由此在该下埋式氧化层与该垫氧化层之间产生一矽层;形成一具有第一开口图案之氮化矽层于该垫氧化层上以暴露一部份该垫氧化层;形成一热氧化层于该被暴露之垫氧化层上以缩小该矽层,该热氧化层是藉由热氧化而产生;形成第一边墙侧壁于该第一开口之边墙上;蚀刻该热氧化层以暴露该半导体底材,该蚀刻程序使用该第一边墙侧壁作为一罩幂,并由此形成第二开口于该热氧化层中,其中该第二开口较该第一开口为深;形成一氮氧化矽层于该氮化矽层及该第二开口的表面上;形成一闸极于该第二开口中;移除该氮化矽层,该第一边墙侧壁以及一部份该氮氧化矽层;进行第一离子植入以便在邻接该闸极处形成源极与汲极;移除该热氧化层及该垫氧化层;进行第二离子植入以便在邻接该汲极处形成一LDD结构;且形成第二边墙侧壁于该闸极之边墙上。2.如申请专利范围第1项之方法,更包括在蚀刻该热氧化层后,进行第三离子植入以调整启始电压并作为抗穿透之步骤。3.如申请专利范围第2项之方法,更包括在进行该第三离子植入后,进行一热回火程序以复原蚀刻缺陷。4.如申请专利范围第1项之方法,更包括在形成该第二边墙侧壁后,形成一矽化金属层于该源极与该汲极上,并形成一多晶矽化金属层于该闸极上。5.如申请专利范围第1项之方法,更包括下列形成该闸极之步骤:形成一多晶矽层于该氮氧化矽层上;且蚀刻该多晶矽层以形成该闸极。6.如申请专利范围第1项之方法,更包括下列形成该下埋式氧化层之步骤:植入氧离子于该半导体底材中;且进行一热过程以形成该下埋式氧化层。7.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第一离子植入其剂量大约为5E11至5E13atoms/cm2。8.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第一离子植入其能量大约为0.1至50Kev。9.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第二离子植入其剂量大约为1E14至2E16atoms/cm2。10.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第二离子植入其能量大约为0.5至80Kev。11.如申请专利范围第2项之方法,其中上述之第三离子植入其剂量大约为1E12至1E14atoms/cm2。12.如申请专利范围第2项之方法,其中上述之第三离子植入其能量大约为0.5至60Kev。13.如申请专利范围第3项之方法,其中用以复原该蚀刻缺陷之该热回火程序是在N2O环境中进行。14.如申请专利范围第3项之方法,其中用以复原该蚀刻缺陷之该热回火程序是在O2环境中进行。15.如申请专利范围第1项之方法,其中位于该源极与该汲极中之该杂质是在N2/O2环境中进行活化。16.如申请专利范围第1项之方法,其中位于该源极与该汲极中之该杂质是在O2环境中进行活化。17.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第二边墙侧壁是由氧化矽所形成。18.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之杂质其活化温度约为750至1100℃。19.如申请专利范围第3项之方法,其中用以复原该蚀刻缺陷之该热回火程序其温度约为750至1100℃。图式简单说明:第一图为半导体晶片之截面图,显示根据本发明在半导体底材中形成一下埋式氧化层之步骤。第二图为半导体晶片之截面图,显示根据本发明形成一氮化矽层图案之步骤。第三图为半导体晶片之截面图,显示根据本发明在底材上形成热氧化层之步骤。第四图为半导体晶片之截面图,显示根据本发明在氮化矽层边墙上形成侧壁之步骤。第五图为半导体晶片之截面图,显示根据本发明使用该侧壁作为罩幂蚀刻热氧化层之步骤。第六图为半导体晶片之截面图,显示根据本发明进行一离子植入之步骤。第七图为半导体晶片之截面图,显示根据本发明进行一热氧化之步骤。第八图为半导体晶片之截面图,显示根据本发明形成一CVD氮氧化物层之步骤。第九图为半导体晶片之截面图,显示根据本发明形成一矽闸极之步骤。第十图为半导体晶片之截面图,显示根据本发明进行该闸极,源极与汲极离子植入之步骤。第十一图为半导体晶片之截面图,显示根据本发明活化该杂质之步骤。第十二图为半导体晶片之截面图,显示根据本发明移除该热氧化层并形成该LDD结构之步骤。第十三图为半导体晶片之截面图,显示根据本发明形成氧化物侧壁之步骤。第十四图为半导体晶片之截面图,显示根据本发明进行一自对准矽化金属制程之步骤。 |
