| 主权项 |
1.一种测量积体电路结构之二条线间之耦合电容之方法,包含:提供一种积体电路结构,该结构具有:第一条线、第二条线及接地平面;使该第一及第二条线一起短路且测量该接地平面与呈短路之该第一及第二条线间之第一电容(Ct);除去该第一及第二条线间之短路;使该第一条线短路至接地平面且测量该第二条线与呈短路之接地平面及第一条线间之第二电容(C1);除去该第一条线与该接地平面间之短路;使该第二条线短路至该接地平面且测量该第一条线与该呈短路之接地平面及第二条线间之电容(C2);依据下述公式决定该第一条线及该第二条线间之耦合电容(Cc):Cc=(C1+C2-Ct)/2z。2.如申请专利范围第1项之方法,其中:该结构不具有紧接于该第一及第二条线之任一者之每一侧及其上之接地线。3.如申请专利范围第1项之方法,其中:该第一及第二条线系于该积体电路之不同水平面。4.如申请专利范围第3项之方法,其中:该第一及第二条线系平行。5.如申请专利范围第3项之方法,其中:该第一及第二条线系不平行。6.如申请专利范围第1项之方法,其中:该结构另包含:第一电子开关,其系连接至该第一条线及第一条线之电容测量点之间,及第二电子开关,其系连接至该第一条线及接地之间;第三电子开关,其系连接至该第二条线及第二条线之电容测量点之间,及第四电子开关,其系连接至该第二条线及接地之间;且其中该第一、第二、第三及第四之电子开关系可对于促进电容测量而言系可操作者。7.如申请专利范围第6项之方法,其中该第一、第二、第三及第四之电子开关包含位于该积体电路结构上之主动装置。8.如申请专利范围第1项之方法,其中该第一及第二条线之长度系少于300m。9.如申请专利范围第8项之方法,其中该第一及第二条线之长度系少于100m。10.如申请专利范围第1项之方法,其中该第一及第二条线间之电容系少于1尘法拉(fF)。11.如申请专利范围第1项之方法,其中每一测量步骤包含提供电流至第一或第二条线且藉此于该第一及第二条线间诱发电磁通量之次步骤,且其中该第一及第二条线间之电磁通量不会藉由位于该第一及第二条线间之接地线屏障之。图式简单说明:第一图显示IC结构之二互连线(其间之电容系欲被测量),及用以施加电压脉冲至该等线之电子开关。第二图显示与第一图所示者相同型式之二电子开关之直接连接。第三图显示测量二线间之电容之一步骤,其间该等线被连成短路且所形成结构之电容系依接地而测量之。第四图显示测量二线间电容之另一步骤,其间第一条线被短路接地,且所形成结构之电容系依接地测量之。第五图系显示测量二线间之电容之另一步骤,其间第二条线被短路接地,且所形成结构之电容系依接地测量之。 |
