| 主权项 |
1.一种双重金属镶嵌结构的制造方法,包括下列步骤:于一基底上形成一介电层,该介电层已形成有一沟渠与一介层窗开口;在该沟渠与该介层窗开口的侧壁形成一阻障间隙壁;在该基底上形成一共形黏着层;以及于该沟渠与该介层窗开口中填入一导体材料。2.如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌结构的制造方法,其中该阻障间隙壁包括化学气相法所沈积之氮化钛。3.如申请专利范围第2项所述之双重金属镶嵌结构的制造方法,其中该共形黏着层包括离子化的金属电浆法所形成之钽。4.如申请专利范围第2项所述之双重金属镶嵌结构的制造方法,其中该共形黏着层包括离子化的金属电浆法所形成之氮化钽。5.如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌结构的制造方法,其中该共形黏着层包括离子化的金属电浆法所形成之钽。6.如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌结构的制造方法,其中该共形黏着层包括离子化的金属电浆法所形成之氮化钽。7.如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌结构的制造方法,其中该导体材料包括铜。8.如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌结构的制造方法,其中于该沟渠与该介层窗开口中填入该导体材料的步骤包括:在该基底上形成一导体层以覆盖该介电层,并且填满该沟渠与该介层窗开口;以及进行平坦化制程,以去除该介电层上所覆盖之该黏着层与该导体层。9.如申请专利范围第8项所述之双重金属镶嵌结构的制造方法,其中该平坦化制程系使用化学机械研磨技术执行之。10.一种双重金属镶嵌结构的制造方法,包括下列步骤:于一基底上形成一介电层,其中该基底上已形成有一导体层、且该导体层上已覆盖一顶盖层;于该介电层中形成一沟渠与一介层窗开口,裸露出该顶盖层;在该沟渠与该介层窗开口之侧壁形成一阻障间隙壁;去除该介层窗开口所裸露之该顶盖层,以暴露出该导体层;在该基底上形成一共形黏着层;以及于该沟渠与该介层窗开口中填入一导体材料。如申请专利范围第10项所述之变重金属镶嵌结构的制造方法,其中该顶盖层之材质包括化学气相沈积法所形成之氮化矽。11.如申请专利范围第10项所述之双重金属镶嵌结构的制造方法,其中在该沟渠与该介层窗开口之侧壁形成一阻障间隙壁之步骤包括:在该基底形成一共形阻障层;以及回蚀刻该共形阻障层。12.如申请专利范围第11项所述之双重金属镶嵌结构的制造方法,其中该共形阻障层包括化学气相法所沈积之氮化钛。13.如申请专利范围第12项所述之双重金属镶嵌结构的制造方法,其中该共形黏着层的形成方法包括离子化的金属电浆法。14.如申请专利范围第10项所述之双重金属镶嵌结构的制造方法,其中去除该介层窗开口所裸露之该顶盖层的步骤系以反应性离子蚀刻的方式执行。15.如申请专利范围第10项所述之双重金属镶嵌结构的制造方法,其中该共形黏着层包括离子化的金属电浆法所形成之钽。16.如申请专利范围第10项所述之双重金属镶嵌结构的制造方法,其中该共形黏着层包括离子化的金属电浆法所形成之氮化钽。17.如申请专利范围第10项所述之双重金属镶嵌结构的制造方法,其中该导体材料包括铜。18.如申请专利范围第10项所述之双重金属镶嵌结构的制造方法,其中于该沟渠与该介层窗开口中填入该导体材料的步骤包括:在该基底上形成一导体层以覆盖该介电层,并且填满该沟渠与该介层窗开口;以及进行平坦化制程,以去除该介电层上所覆盖之该黏着层与该导体层。19.如申请专利范围第18项所述之双重金属镶嵌结构的制造方法,其中该平坦化制程系使用化学机械研磨技术执行之。图式简单说明:第一图A至第一图C为习知一种双重金属镶嵌结构的制造流程剖面图;以及第二图A至第二图F为依照本发明实施例一种双重金属镶嵌结构的制造流程剖面图。 |
