| 主权项 |
1.一种制造MIS半导体装置的方法,包含之步骤为:形成一光罩在一半导体上;藉由选择性的导入杂质至使用该光罩之半导体中,以形成杂质区域;移去该光罩;在移去光罩后,藉由退火该半导体而增加至少该杂质区域之晶性;和在该增加步骤后,形成一闸电极在介于杂质区域之半导体之部份上,而一绝缘膜介于该部份和该闸电极之间,其中该光罩具有一宽度宽于由一杂质区域至另一杂质区域之方向中之该闸电极。2.如申请专利范围第1项方法,进一步骤包含形成连接的步骤,在该改进步骤后,该掺杂区间半导体上形成连接,并且阳极化连接的表面。3.如申请专利范围第1项方法,其中该退火步骤以照射雷射光或和雷射光等效之光而执行。4.如申请专利范围第3项方法,其中从一群包含相干光源和不相干光源,选择幅射该光的光源。5.一种制造电光装置之MIS半导体装置的方法,其步骤包含:具有绝缘膜的半导体上,形成导电材料的连接;使用该连接当成光罩,以自对准方式,使杂质进入该半导体;杂质进入前和后,蚀刻该连接的二端和光线幅射该区,改进该掺杂区的结晶度。6.如申请专利范围第5项方法,其中该光线是雷射光线或相等的。7.如申请专利范围第5项方法,其中从一群包含相干光源和不相干光源,选择幅射该光的光源。8.如申请专利范围第5项方法,进一步骤包含光线幅射后,阳极化该连接的步骤。9.一种制造电光装置之MIS半导体装置的方法,包含之步骤为:形成第一接线包含可阳极化材料在一基底上,该第一接线具有至少一连接部份;形成有机光罩在第一接线之连接部份;阳极氧化第一接线以在非连接部份之接线上形成阳极氧化层;在阳极氧化后移去有机光罩;在第一接线上形成中间绝缘层;经由中间绝缘层形成一接触孔以曝露第一接线之连接部份;和形成第一接线在中间绝缘层上,其中第二接线经由中间绝缘层之接触孔接触第一接线之连接部份。10.如申请专利范围第9项方法,其中该光线是雷射光线或相等的。11.如申请专利范围第9项方法,其中从一群包含相干光线和不相干光线,选择幅射该光的光线。12.一种制造电光装置之MIS半导体装置的方法,包含:具有绝缘膜的光罩的半导体活性区上,在半导体的顶部,形成导电材料的连接;在该连接上,选择性形成镀膜;使用该镀膜当成光罩,以自对准方式,使杂质进入该半导体,在该半导体活性区间形成掺杂区;掺杂质后,除去一部份的镀膜接,露出活性区,和该杂质区间边界或至少一部份该界周围,和除去的步骤后,利用光线幅射该区,改进已注入在该半导体杂质区的结晶度。13.如申请专利范围第12项方法,进一步骤包含光线幅射后,阳极化该连接的步骤。14.如申请专利范围第12项方法,其中该光线是雷射光线或相等的。15.如申请专利范围第12项方法,其中从一群包含相干光线和不相干光线,选择幅射该光的光线。图式简单说明:第一图(A)到第一图(E)系本发明实施例的剖面图第二图(A)到第二图(D)系习知技术的剖面图第三图(A)到第三图(F)系本发明实施例的剖面图第四图(A)到第四图(C)系本发明实施例的正面图第五图(A)到第五图(F)系本发明实施例的剖面图第六图(A)到第六图(F)系本发明实施例的剖面图第七图(A)到第七图(E)系本发明实施例的剖面图第八图(A)到第八图(F)系本发明实施例的剖面图第九图(A)到第九图(C)系本发明实施例的正面图第十图(A)到第十图(E)本发明实施例的剖面图 |
