发明名称 射频识别系统询答机及其供电电压定位之定位方法
摘要 一种射频识别(RFID)标签包含一储能电路,以接收经由一远端讯问机单元传送在一射频(RF)载波上之电力信号。藉变化一储能电路之电阻负载作为自记忆器所读出资料之函数而将讯息自标签传达到讯问机。反射信号中对应之变化则被讯问机检测出。一过压电路与一调制电路合作以提供资料的传输,甚至于电压状况时,因此避免在此状况下掩蔽这信号。
申请公布号 TW405288 申请公布日期 2000.09.11
申请号 TW087115311 申请日期 1998.09.15
申请人 艾特梅尔公司 发明人 艾伦.M.道斯
分类号 H02H9/00 主分类号 H02H9/00
代理机构 代理人 赖经臣 台北巿南京东路三段三四六号一一一二室
主权项 1.一种使用于射频识别系统之询答机,包含:一储能电路;一过压电路,连接于储能电路,具有一分路装置以于过压条件时从储能电路将电流分路;及调谐装置,用以依据询答机中所包含的资料改变储能电路之调谐,调谐装置可操作地结合于分路装置以依据该资料而改变电流的分路数量。2.如申请专利范围第1项之询答机,其中,分路装置包含一参考电压选择器,用以于一第一参考电压及一第二参考电压之间选择,及一分路电晶体视参考电压的选择而偏压。3.如申请专利范围第1项之询答机,其中,调谐装置包含一调制装置,用以产生一调制信号,其代表询答机中所包含之资料,及负载装置,用以呈现一可变电阻负载到该储能电路;调制信号被连结以改变该电阻负载。4.如申请专利范围第3项之询答机,其中,负载装置是一电晶体横接于储能电路;一电晶体的闸极被连接以接收该调制信号。5.如申请专利范围第1项之询答机,其中,储能电路包含一电感器平行连接于一电容器。6.如申请专利范围第5项之询答机,其中,分路装置包含一电晶体和及一比较器;电晶体被横接于该储能电路;一电晶体的闸极被连接于一比较器的输出,比较器具有一第一输入连接于该参考电压选择器及一第二输入被连接以接收通过该线圈之电压。7.一种射频识别询答机,包含:第一和及第二端子;一储能电路,包含一线圈横接于第一及第二端子,及一电容器横接于第一及第二端子;一记忆列;一调制装置,连接于记忆列,用以产生一调制信号,其代表记忆列所包含之资料;一可变电阻负载,横接于第一及第二端子,该可变电阻负载连接于调制装置,用以供应一可变电阻于储能电路以回应调制信号;及一过压电路,横接于第一及第二端子,包含一参考电压电路连接于调制装置以产生一参考电压以回应调制信号而变化,当一供电电压超过参考电压时,过压电路发生启动。8.如申请专利范围第7项之询答机,其中,过压电路包含一分路电晶体及一比较器,该分路电晶体是横接于第一及第二端子,一分路电晶体的闸极连接于该比较器,比较器被连接以比较该供电电压及参考电压。9.如申请专利范围第8项之询答机,其中,可变电阻负载是一负载电晶体横接于第一及第二端子,调制信号被连接到该负载电晶体的闸极。10.如申请专利范围第7项之询答机,更包含一选择器被连接以提供一第一参考电压或一第二参考电压到该比较器,选择器被连接以提供一参考电压以回应调制信号。11.如申请专利范围第10项之询答机,其中,过压电路更包含一分路电晶体横接于第一及第二端子,比较器的输出被连接到电晶体的闸极。12.如申请专利范围第11项之询答机,其中,可变电阻负载是一负载电晶体横接于第一及第二端子,调制信号被连接到该负载电晶体的闸极。13.一种用以在一射频识别询答机系统中将询答机供电电压定位之定位方法,包含:以一调制信号将横接于一储能电路的电阻负载调制;当调制信号是在一第一调制位准时,选择一第一电压参考;当调制信号是在一第二调制位准时,选择一第二电压参考;比较这供电电压及一选择的参考电压;及若该供电电压超过该选择的参考电压,则将电流分路通过该储能电路。14.如申请专利范围第13项之定位方法,其中,调制步骤包含读取储存在询答机之资料及产生调制信号以代表该资料。15.如申请专利范围第13项之定位方法,其中,电阻负载是一电晶体横接于储能电路,调制步骤包含变化施加于电晶体的闸极之偏压电压。16.如申请专利范围第13项之定位方法,其中,电流分路步骤包含操作横接于储能电路之电晶体,经由变化施加于电晶体的闸极之偏压以回应比较步骤。17.如申请专利范围第13项之定位方法,其中,调制步骤包含变化施加于横接在储能电路的第一电晶体的闸极之偏压以改变通过第一电晶体的电流;及分路步骤包含变化施加于第二电晶体的闸极之第二偏压电压以回应比较步骤;第二电晶体被横接于储能电路。18.如申请专利范围第17项之定位方法,其中,调制步骤更包含读取储存在询答机之资料及改变第一偏压以代表该资料。图式简单说明:第一图示本发明的RFID标签之方块图。第二图示本发明的调制电路。第三图示一先前技术调制方案。
地址 美国