| 主权项 |
1.一种可修整面状电阻系包含:面状电阻1基板上的一弯绕切割区11及一涡旋切割区12,两者之间以切割区边界13绝缘分隔,并在切割区连接电极131处相串接;面状电阻两侧在弯绕切割区及涡旋切割区各有具良导电性电极5,供电流出入;弯绕切割区11系多数个槽型切6构成,其系自电阻侧边界21上第一绝缘槽起点31向内切至第一绝缘槽端点32后停止;再自侧对边界22上第二绝缘槽起点41向内切至第二绝缘槽端点42后停止,重复该程序逐一进行各切割;涡旋切割区有两绝缘槽,第一绝缘槽3,系将修整源移到两电极5间的侧边界21上,由涡旋第一绝缘槽起点33开始依左旋或右旋的涡旋路径向内切割,并停止于涡旋第一绝缘槽端点34处;第二绝缘槽4,系将修整源移到两电极5间之另一侧对应边界22上的涡旋第二绝缘槽起点43,开始去除电阻材料,循平行于旋第一绝缘槽以不小于最小允许修整间距之距离,依同方向涡旋式路径向内修整,停止于涡旋第二绝缘槽端点44处。2.如申请专利范围第1项所述之可修整面状电阻,其中弯绕切割区11电阻率大于涡旋切割区12电阻率。3.如申请专利范围第1项所述之可修整面状电阻,其中涡旋切割区12包含有一内区块122及一外区块121,并于内外区块边界123相接;内区块122电阻率小于外区块121电阻率;修整至面状电阻内外区块附近时,系沿内外区块边界123外割,电流可流经内区块或外区块以得所电阻値,涡旋切割末端系切割于内区块122,以得到高精度电阻値。4.如申请专利范围第1项所述之可修整面状电阻,其中切割区连接电极131直接连接外电极51,另一外电极连接弯绕式或涡旋式切割区电极5,以为该面状电阻之部份利用。5.如申请专利范围第1项所述之可修整面状电阻,其中弯绕切割区11涡旋切割区12及涡旋切割内区块122均系矩形,且电阻外边界2系平行于矩形之座标轴方向,电阻修整是沿座标轴,依设定之路径进行线形修整,加快修整速度。6.如申请专利范围第1项所述之可修整面状电阻,其中面状电阻1上之第一绝缘槽3及第二绝缘槽4之部份或全部系依所需形式,设计制作光罩或底板图样,在面状电阻制造时先行制作基板上者。图式简单说明:第一图 本创作可修整面状电阻实施例之电阻区块说明图第二图 本创作可修整面状电阻实施例之电阻修整配置图第三图 槽型切割第四图 L型切割第五图 槽型与L型切割电流分布变化情形第六图 先前技艺,弯绕式切割 |
