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发明名称
CHEMICAL DISPENSE STRUCTURE FOR SEMICONDUCTOR DEVELOP SYSTEM
摘要
<p>본 고안은 반도체 현상장비의 현상액분사구조에 관한 것으로, 테프론 튜브(14)의 단부에 결합부재(15)를 이용하여 하면에 다수개의 디스팬스 팁(16a)이 구비되어 있는 노즐(16)을 결합설치함으로서, 웨이퍼(13)의 상면에 현상액을 분사시에 넓은 면적에 균일하게 분사된다.</p>
申请公布号
KR20000017033(U)
申请公布日期
2000.09.25
申请号
KR19990002284U
申请日期
1999.02.12
申请人
发明人
分类号
主分类号
代理机构
代理人
主权项
地址
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