发明名称 CHEMICAL DISPENSE STRUCTURE FOR SEMICONDUCTOR DEVELOP SYSTEM
摘要 <p>본 고안은 반도체 현상장비의 현상액분사구조에 관한 것으로, 테프론 튜브(14)의 단부에 결합부재(15)를 이용하여 하면에 다수개의 디스팬스 팁(16a)이 구비되어 있는 노즐(16)을 결합설치함으로서, 웨이퍼(13)의 상면에 현상액을 분사시에 넓은 면적에 균일하게 분사된다.</p>
申请公布号 KR20000017033(U) 申请公布日期 2000.09.25
申请号 KR19990002284U 申请日期 1999.02.12
申请人 发明人
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
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