| 主权项 |
1.一种双嵌金法的制造方法,在一基底上形成有一定义之第一导电层,该第一导电层具一介电层,该介电层中形成有上宽下窄之一开口,暴露出该第一导电层;该制造方法至少包括:沿该开口去除部分该第一导电层,但不穿透该第一导电层,在该第一导电层形成一凹槽;对该基底形成一黏着层,覆盖住暴露出的该第一导电层表面与该介电层表面;以及对该基底形成一第二导电层,填满该开口与该凹槽,该第二导电层之一表面至少与该介电层之一表面同高。2.如申请专利范围第1项所述双嵌金法之制造方法,其中,该第一导电层包括金属层。3.如申请专利范围第1项所述双嵌金法之制造方法,其中,该第二导电层包括金属层。4.如申请专利范围第1项所述双嵌金法之制造方法,其中,该凹槽提供该第二导电层一较大的表面积与该第一导电层接触。5.如申请专利范围第1项所述双嵌金法之制造方法,对该基底形成一第二导电层,填该开口与该凹槽,更包括对该基底形成一第二导电层,延伸至该介电层表面;以及以化学机械研磨法去除该介电层表面之该第二导电层,则该第二导电层之一表面至少与该介电层之一表面同高。6.一种双嵌金法的制造方法,在一基底上形成有一定义之第一金属层,该第一金属层具一介电层,该介电层中形成有上宽下平之一开口,暴露出该第一金属层;该制造方法至少包括:去除部分暴露出之该第一金属层,但不穿透该第一金属层,在该第一金属层形成一凹槽;对该基底形成一黏着层,至少覆盖住该凹槽表面与该开口表面;对该基底进行一高温制程;以及对该基底形成一第二金属层,填满该开口与该凹槽,该第二金属层之一表面至少与该介电层之一表面同高。7.如申请专利范围第6项所述双嵌金法之制造方法,其中,该凹槽提供该第二金属层一较大的表面积与该第一金属层接触。8.如申请专利范围第6项所述双嵌金法之制造方法,其中,该高温制程使该黏着层与该第一金属层作用,使该第二金属层与该第一金属层具有一较佳的欧姆接触能力。9.如申请专利范围第6项所述双嵌金法之制造方法,其中,该黏着层包括金属层。10.如申请专利范围第6项所述双嵌金法之制造方法,其中该高温制程包括快速热制程。11.如申请专利范围第6项所述双嵌金法之制造方法,其中该高温制程包括回火制程。12.如申请专利范围第6项所述双嵌金法之制造方法,对该基底形成一第二金属层,填满该开口与该凹槽,更包括对该基底形成一第二金属层,延伸至该介电层表面;以及以化学机械研磨法去除该介电层表面之该第二金属层,则该第二金属层之一表面至少与该介电层之一表面同高。13.如申请专利范围第6项所述双嵌金法之制造方法,其中该第二金属层包括铜。图式简单说明:第一图A至第一图D系显示一种习知嵌金法的制造流程剖面图;以及第二图A至第二图E系显示根据本发明较佳实施例嵌金法之制造流程剖面图。 |
