| 主权项 |
1.一种使用于电浆蚀刻装置中之乾燥清洁方法,系使用多数气体电浆来蚀刻,包含以下步骤:执行第一清洁处理,使用第一清洁气体之电浆,以除去在蚀刻期间所产生包含至少一残留蚀刻材料且附着至装置之内壁且/或该装置之内部构件之反应生成物;及执行第二清洁处理,使用第二清洁气体之电浆,以除去由(a)附着至装置之内壁且/或内部构件之残留蚀刻材料与(b)第一清洁气体,该第二清洁气体包含作为该化学化合物之构成元素的材料,具有比该残留蚀刻材料大的原子间结合能量値,及使用于第一清洁处理中之该第一清洁气体。2.一种使用于电浆蚀刻装置中之乾燥清洁方法,系使用多数气体电浆来蚀刻,包含以下步骤:执行第一清洁处理,使用第一清洁气体之电浆,以除去经由蚀刻而产生附着至装置之内壁且/或装置之内部构件之反应生成物,留下残留附着材料;及使用第二清洁气体执行第二清洁处理以除去残留附着材料,该第二清洁气体包含作为该残留附着材料之构成元素的材料,具有比该残留附着材料大的原子间结合能量値。3.如申请专利范围第1或2项之乾燥清洁方法,其中在预定数目的晶圆已在电浆蚀刻装置中被蚀刻之后,执行第一及第二清洁处理。4.一种半导体装置之制造方法,其特征在于:执行如申请专利范围第1或2项之乾燥清洁方法以清洁该电浆蚀刻装置之内部,藉以提供一清洁后的电浆蚀刻装置,随后藉着使用该清洁后的电浆蚀刻装置而执行半导体晶圆表面的蚀刻处理。图式简单说明:第一图为依照本发明之半导体制造装置之图。第二图A和第二图B为依照本发明之第一实施例之半导体晶圆之制造中之再生主要步骤在横截面中之说明图。第三图A和第三图B为依照本发明之第二实施例之半导体晶圆之制造中之再生主要步骤在横截面中之说明图。第四图A和第四图B为依照本发明之第三实施例之半导体晶圆之制造中之再生主要步骤在横截面中之说明图。 |
