发明名称 具有改良温度控制之处理矽装置之机具
摘要 一种用于处理一矽工件之机具,其使用反射之UV光线以测量及控制工件温度。一直线偏光光束包括UV光线,其导向至一矽表面上以利产生一反射光束,反射光束在横向偏光以消除大部份光线,且生成之剩余反射率光谱即可决定之,温度系由此光谱特征决定。一工件加热站利用此测量枝术,而在广范围之处理温度上准确地控制一矽工件温度及温度相关性处理过程,其包括500℃以下温度。
申请公布号 TW410365 申请公布日期 2000.11.01
申请号 TW088105177 申请日期 1999.04.01
申请人 朗讯科技公司 发明人 格林B.亚勒斯;罗柏麦乐摩弗莱明;贝瑞法兰克林乐温;葛登亚柏特汤玛斯
分类号 H01L21/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人 陈长文 台北巿敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种用于处理一矽工件之机具,包含:一支承件,用于该工件;一光源,用于导引一含有紫外线之偏光光束至该工件上;一光谱分析器,用于接收自该工件反射之该光束至少一部份;一电脑,用于接收来自该反射光束光谱之该光谱分析器资料样本,且由此以估计该工件之温度。2.如申请专利范围第1项之机具,进一步包含一或多个可控制之加热元件,用于加热该工件,且该电脑因应于该光谱资料而产生讯号以控制该加热元件。3.如申请专利范围第1项之机具,进一步包含可控制之机具,用于积置材料至该工件上,且该电脑因应于该光谱资料而产生讯号以控制该机具积置材料。4.如申请专利范围第1项之机具,其中该偏光光束系导向该工件之一矽表面上。5.如申请专利范围第4项之机具,其中该偏光光束系以45至80入射角范围导向该矽表面上。6.如申请专利范围第1项之机具,其中该光源包含一氘灯。7.如申请专利范围第1项之机具,其中该光谱分析器包含一光学散布元件及一列测光器。8.如申请专利范围第1项之机具,其中该光源包含一第一直线偏光器,及进一步包含一第二直线偏光器位于自该工件反射之光线路径上,该第二偏光器系定向以减少偏光之反射光线。9.如申请专利范围第1项之机具,其中该电脑因应于该光谱资料而产生讯号,以控制一温度相关性矽装置制造过程。图式简单说明:第一图系用于测量一矽工件温度之机具简示图;第二图、第三图系不同温度下由一矽晶圆反射之偏光UV光线光谱;第四图系一改良式矽装置制造机具简示图。
地址 美国