| 主权项 |
1.一种藉由不饱和物质之自由基引发聚合作用而生产较低分子量聚合物之方法,其特征是使用式I之不饱和化合物作为链转移剂:其中R1与R2系选自氢、甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、第二丁基、第三丁基、苯基、联苯基、基、氯及氟;X系选自氯、溴、或未取代或经C1-C6-烷基取代的芳磺醯基;Y系选自卤素、聚合物链或CR3R4Z,其中R3与R4为氢;且Z为氯、溴或未取代或经C1-C6-烷基取代的芳磺醯基;其条件是当X为未取代或经C1-C6-烷基取代的芳磺醯基时,Y不是卤素;其中该式I化合物之用量为总单体之0.01至30莫耳百分比。2.如申请专利范围第1项之方法,其中X为氯或溴。3.如申请专利范围第1项之方法,其中X为未取代或经C1-C6-烷基取代之芳磺醯基。4.如申请专利范围第3项之方法,其中X为对甲苯磺醯基、甲磺醯基或苯磺醯基。5.如申请专利范围第1项之方法,其中Y为卤素。6.如申请专利范围第1项之方法,其中Y为CR3R4Z且R3.R4及Z相同于申请专利范围第1项之定义。7.如申请专利范围第1项之方法,其中该方法所得之产物为聚合物、寡聚物、巨单体及官能基聚合物。8.如申请专利范围第1项之方法,其中该方法所得之产物为嵌段及接枝聚合物。9.一种制备A-B型嵌段共聚物之方法,其系在式I之第一种链转移剂存在下,使第一种不饱和的物质进行自由基引发的聚合反应:其中R1与R2为氢;X为氯、溴或未取代或经C1-C6-烷基取代的芳磺醯基;Y为卤素、聚合物链或CR3R4Z,其中R3与R4为氢;且Z为氯、溴或未经取代或经C1-C6-烷基取代的芳磺醯基;其条件是当X为未经取代或经C1-C6-烷基取代之芳醯基时,Y不为卤素;以制备式I之第二种链转移剂,其中Y为聚合物链,及接着在第二种链转移剂存在下使第二种不饱和的物质行自由基引发聚合作用,制成该第一及第二种不饱和物质之A-B型嵌段共聚物。10.如申请专利范围第1项之方法,其中该式I化合物之用量为0.1至10莫耳%。11.如申请专利范围第1项之方法,其中式I化合物系选自包括2,3-二氯丙烯、3-氯-2-氯甲基-1-丙烯、2,3-二溴丙烯、3-溴-2-溴甲基-1-丙烯、2-溴-3-氯丙烯、3-溴-2,氯丙烯、3-氯-2-氟丙烯、3-溴-2-氟丙烯、2-(氯甲基)-3-甲苯磺醯基丙烯、及2-甲苯磺醯基-3-(甲苯磺醯甲基)丙烯。12.如申请专利范围第1项之方法,其中该不饱和物质为选自由乙烯酯、乙烯卤化物、乙烯芳族化物、亚乙烯卤化物、丙烯酯、甲基丙烯酯、不饱和及聚不饱和烃及其混合物所组成之群之不饱和单体。 |
