| 主权项 |
1.本发明系有关于一种形成金氧半电晶体之方法,其制程步骤至少包括:形成一第一介电质层于一底材上;形成一第一导体层于该第一介电质层上;形成一第一光阻于该第一导体层上,该第一光阻系用以定义该底材上一主动区域的范围;非等向性蚀刻未被该第一光阻所覆盖之该第一导体层、该第一介电质层与部份厚度之该底材,而形成一浅沟槽隔离;填入一介电质于该浅沟槽隔离以形成一隔离层;平坦化该隔离层的表面;搀入一杂质于该底材以形成一井区;形成一第二介电质层于该隔离层与该第一导体层上;形成一第二光阻于该第二介电质层上,该第二光阻系用以定义该主动区域内闸极的位置与该隔离层中内连线的位置;非等向性蚀刻未被该第二光阻所覆盖之该第二介电质层、该第一导体层、该第一介电质层和部份厚度之该隔离层,形成一渠沟于主动区域及另一渠沟于该隔离层;以蚀刻法蚀刻部份之该第一介电质层以形成二空穴,该二空穴系位于该渠沟之两底侧;形成一第二导体层于该第二介电质层上,且该第二导体层填入该二渠沟与填满该二空穴;移去该二空穴外之所有该第二导体层,但仍使该二空穴皆填满该第二导体层;形成一第三介电质层于该二渠沟的侧壁;形成一第四介电质层于该二渠沟的底部;形成一第三导体层于该第二介电质层上,该第三导体层亦填满该二渠沟而分别形成一电晶体闸极于该主动区域及一内连线于该隔离层;移去该二渠沟外之该第三导体层;搀入杂质到该第一导体层;和以回火程序处理使该杂质扩散到该底材表层而形成一上昇型源极与一上昇型汲极于该罩幕层中。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第一导体层的材料至少包括多晶矽。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第二导体层的材料至少包括多晶矽、金属、金属矽化物、磊晶矽、选择性成长磊晶矽、选择性成长钨或其它导体材料。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之平坦化表面之方法至少包括化学机械研磨法。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第二介电质层系作为蚀刻终止层与保护层用。6.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之等向性蚀刻法所使用之化学药品至少包括氢氟酸。7.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之该第三介电质层系用以作为间隙壁。8.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之该第四介电质层系用以作为闸极的介电层用。9.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之该第三导体层的材料至少包括下列之一:金属、多晶矽、金属矽化物或金属氮化物。10.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之移去该二渠沟外之该第三导体层的方法至少包括下列之一;化学机械研磨法或回蚀法。11.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之该闸极系利用镶崁法所形成,可以有效减小该金氧半电晶体的尺寸并使其轮廓图案更容易定义。12.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之搀入杂质的方法至少包括离子植入法。13.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之回火程序如系在炉管中进行,回火温度约为850℃而回火时间约为5到30分钟。14.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之回火程序如系使用快速热处理程序进行,回火温度约为1000℃而回火时间约为10到30秒。15. 一种同时形成金氧半电晶体与内连线之方法,其制程步骤至少包括:形成一第一介电质层于一矽底材上;形成一第一导体层于该第一介电质层上;形成一第一光阻于该第一导体层上,该第一光阻系用以定义一主动区域的范围;非等向性蚀刻未被该第一光阻所覆盖之该第一导体层、该第一介电质层与部份厚度之该矽底材表层,以形成浅沟槽隔离;以一二氧化矽层填入该浅沟槽隔离并且形成一隔离层;以化学机械研磨法平坦化该隔离层的表面;搀入一杂质于该矽底材以形成井区;形成一第二介电质层于该隔离层与该第一导体层上;形成一第二光阻于该第二介电质层上,该第二光阻系用以定义该主动区域内闸极的位置与该隔离层上内连线的位置;以非等向性蚀刻法移除未被该第二光阻所覆盖之该第二介电质层、该第一导体层、该第一介电质层和部份厚度之该隔离层表层,而分别形成一电晶体闸极于该主动区域及一内连线于该隔离层;以等向性蚀刻法蚀刻部份之该第一介电质层以形成二空穴,该二空穴系位于该主动区域之渠沟的两底侧;形成一第二导体层于该第二介电质层上,且该第二导体层填入该二渠沟与填满该二空穴;移除所有位于该二空穴外之该第二导体层,但仍保持该二空穴皆填满该第二导体层的状态;形成一第三介电质层于该主动区域之渠沟的侧壁;形成一第四介电质层于该主动区域之渠沟的底部;形成一第三导体层于该第二介电质层上,该第三导体层亦填满该二渠沟;移去该二渠沟外之该第三导体层;搀入杂质到该第一导体层;和以回火程序处理使该第一导体层中之该杂质向下扩散,而形成一上昇型源极与一上昇型汲极于该二渠沟下方之该矽底材表层之该罩幕层中。16. 如申请专利范围第15项之方法,其中上述之第一导体层的材料至少包括多晶矽。17. 如申请专利范围第15项之方法,其中上述之第二导体层的材料至少包括多晶矽、金属、金属矽化物、磊晶矽、选择性成长磊晶矽、选择性成长钨或其它导体材料。18. 如申请专利范围第15项之方法,其中上述之利用化学机械研磨法所平坦化的表面,可有效减少该隔离层与该第一导体层交接处的凹陷与不连续。19. 如申请专利范围第15项之方法,其中上述之该第二介电质层系用作为蚀刻终止层与保护层。20. 如申请专利范围第15项之方法,其中上述之形成于该主动区域之该渠沟系用以形成一闸极,而形成于该隔离层之该渠沟系用以形成一内连线。21. 如申请专利范围第15项之方法,其中上述之等向蚀刻法所使用之化学药品至少包括氢氟酸。22. 如申请专利范围第15项之方法,其中上述之该第三介电质层系用以形成间隙壁。23. 如申请专利范围第15项之方法,其中上述之该第四介电质层系用以作为闸极的介电层用。24. 如申请专利范围第15项之方法,其中上述之该第三导体层的材料至少包括下列之一;金属、多晶矽、金属矽化物和金属化合物。25. 如申请专利范围第15项之方法,其中上述之移去该二渠沟外之该第三导体层的方法至少包括下列之一;化学机械研磨法或回蚀法。26. 如申请专利范围第15项之方法,其中上述之该闸极系利用崁入法所形成,可以有效减小该金氧半电晶体的尺寸并使其轮廓图案更容易定义。27. 如申请专利范围第15项之方法,其中上述之搀入杂质的方法至少包括离子植入法。28. 如申请专利范围第15项之方法,其中上述之回火程序如系在炉管中进行,回火温度约为850℃而回火时间约为5到30分钟。29. 如申请专利范围第15项之方法,其中上述之回火程序如系使用快速热处理程序进行,回火温度约为1000℃而回火时间约为10到30秒。 |
