| 主权项 |
1.一种半导体装置,具有半导体基板及形成于该半导体基板上之可被雷射光切断之至少一个熔断构件,其中在该项熔断构件之长度L与该雷射光之光点直径D及该雷射光之位置对准误差之间有L≦D-之关系者。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其又具有形成于该半导体基板上之一对非金属之导电性沟件,同时该项熔断构件为用金属形成于上述一对非金属之导电性构件之上方之构件,而具有两端各别藉由接触孔在电学上与上述一对非金属之导电性构件连接者。3.如申请专利范围第2项之半导体装置,其又具有互相藉由层间绝缘膜从该半导体基板往上方顺次积层之第1-N(N≧2)之金属配线层,上述第1-N之金属配线均被设在上述一对非金属之导电性构件之上方,在上述第N之金属配线层上设有绝缘层,该项熔断构件为由上述第(N-1)之金属配线层所形成,在该项熔断构件之正上方,上述绝缘层形成有直径S之开口部,其具有S≧D+之关系者。4.如申请专利范围第3项之半导体装置,其中S>2D者。5.如申请专利范围第2项之半导体装置,其又具有互相藉由层间绝缘膜从该半导体基板往上方顺次积层之第1-N(N≧3)之金属配线层,上述第1-N之金属配线层均被设在上述一对非金属之导电性构件之上方,该熔断构件为由上述第(N-2)之金属配线层所形成,在该项熔断构件之正上方,在位于上述第N之金属配线层与上述第(N-1)之金属配线层之间之该等层间绝缘膜中之一个层间绝缘膜形成有直径M之开口部,其具有M≧2D之关系者。6.如申请专利范围第5项之半导体装置,其中在该第N之金属配线层上设有绝缘层,在该项熔断构件之正上方,上述绝缘层具有直径S之开口部,其具有S≧M之关系者。7.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中具备复数个之该项熔断构件,其相邻之一对之上述熔断构件互相以间隔ell隔开,而具有(D/2)+≦ell之关系者。8.一种制造半导体装置之方法,其具备:(a)在半导体基板上形成复数对之非金属之导电性构件之步骤,(b)形成与上述复数对之非金属之导电性构件按每对各别连接之复数之熔断构件之步骤,其中上述复数之熔断构件为由可被雷射光切断之金属所构成,(c)藉上述雷射光完全除去上述复数之熔断构件中之至少一个熔断构件之步骤者。9.如申请专利范围第8项之方法,其中该等熔断构件各别包含:与该项复数对之非金属之导电性构件连接之接触部;及位于从该半导体基板离开得出该项复数对之非金属之导电性构件更远之位置之金属配线层,同时本项方法在该步骤(c)除去上述金属配线层及上述接触部者。10.如申请专利范围第9项之方法,其中该步骤(b)具有(b-1)使第1-N(N≧2)之金属配线层互相藉由层间绝缘膜从该半导体基板往上方顺次积层之步骤,其中该等第1-N之金属配线层皆设在该项复数对之非金属之导体性构件之上方,并且该项复数之熔断构件为由上述第1-N之金属配线层所形成,同时本项方法在该等步骤(b)与(c)之间又具备(d)在上述第N之金属配线层上设置绝缘层之步骤,以及(e)在上述复数之熔断构件之正上方使该绝缘层形成直径S之开口部之步骤,其中S≧D+者。11.如申请专利范围第10项之方法,其中S>2D者。12.如申讲专利范围第8项之方法,其中在该步骤(b)以该等熔断构件每一个之长度L可成为从该雷射光之光点直径D减去该雷射光之位置对准误差所得之数値以下之方式形成该等熔断构件者。13.如申请专利范围第8项之方法,其中该步骤(b)具有(b-1)使第1-N(N≧3)之金属配线层互相藉由层间绝缘膜从该半导体基板往上方顺次积层之步骤,其中上述第1-N之金属配线层皆设在该项复数对之非金属之导体性构件之上方,并且该项复数之熔断构件为由上述第(N-2)之金属配线层所形成,同时本项方法在该等步骤(b)与(c)之间又具备(d)在上述复数之熔断构件之正上方,使位于上述第N之金属配线层与上述第(N-1)之金属配线层之间之上述层间绝缘膜中之一个层间绝缘膜形成直径M之开口部之步骤,其中M≧2D者。14.如申请专利范围第13项之方法,其中在该等步骤(b)与(d)之间又具备(e)在上述第N之金属配线层上形成绝缘层之步骤,以及(f)在上述复数之熔断构件之正上方使该绝缘层形成直径S之开口部之步骤,其中S≧M者。15.如申请专利范围第8项之方法,其中相邻之一对之该等熔断构件互相以间隔ell隔开,且该间隔与该雷射光之光点直径D及该雷射光之位置对准误差之间有(D/2)+≦ell之关系者。图式简单说明:第一图A为展示本发明置施形态1之半等体装置之平面图。第一图B及第一图C为展示本发明实施形态1之半导体装置之断面图。第二图A、第二图C为放大展示第一图B之接触孔21a近旁之断面图。第三图为展示本发明实施形态1之刚经过雷射熔断后之状态之第一图A之A-A线断面图。第四图A及第四图b为展示本发明实施形态2之半导体装置之断面图。第五图为展示本发明实施形态3之半导体装置之断面图。第六图A为展示习知之半导体装置之平面图。第六图B为展示习知之半导体装置之断面图。 |
