| 主权项 |
1.一种具最佳消光比之光强度调变系统,用以将一雷射光源调变为一光脉波,该光强度调变装置包括:一光强度调变器,用以接收该雷射光源,并输出该光脉波;一分光器,用以接收该光脉波,并且将该光脉波分解成一第一光脉波与一第二光脉波;一光接收器,用以接收该第一光脉波,并且将该第一光脉波转换为一电脉波;一讯号处理器,用以接收该光接收器所输出之该电脉波,并且对该电脉波进行数位化处理,产生一数位参考讯号;以及一直流偏压产生器,耦接该讯号处理器,并依据该讯号处理器所输出之该数位参考讯号产生一直流偏压,并将该直流偏压输出给该光强度调变器。2.如申请专利范围第1项所述之具最佳消光比之光强度调变系统,更包括一脉冲产生器,用以产生一脉冲讯号,分别给该光强度调变器产生光脉波,以及给该讯号处理器,做为触发讯号。3.如申请专利范围第1项所述之具最佳消光比之光强度调变系统,其中该分光器系光纤耦合器。4.如申请专利范围第1项所述之具最佳消光比之光强度变系统,其中该讯号处理器更包括一放大器,用以将该光接收器所输出之该电脉波放大。5.如申请专利范围第1项所述之具最佳消光比之光强度调变系统,其中该直流偏压产生器更包括:一控制装置,用以依据该讯号处理器所输出之该数位参考讯号,产生一控制讯号;以及一直流偏压供应器,依据该控制讯号产生一直流偏压値,并将该直流偏压値输出至该光强度调变器。6.如申请专利范围第5项所述之具最佳消光比之光强度调变系统,其中该控制装置系一部电脑。7.如申请专利范围第6项所述之具最佳消光比之光强度调变系统,其中该电脑与该直流偏压供应器,以及与该讯号处理器之间系以广用介面滙流排(GPIB)之控制介面耦接。8.一种具最佳消光比之光强度调变系统,用以将一雷射光源调变为一光脉波,该光强度调变装置包括:一光强度调变器,用以接收该雷射光源,并输出该光脉波;一光接收器,用以接收该光脉波,并且将该光脉波转换为一电脉波;一讯号处理器,用以接收该光接收器所输出之该电脉波,并且对该电脉波进行数位化处理,产生一数位参考讯号;以及一直流偏压产生器,耦接该讯号处理器,并依据该讯号处理器所输出之该数位参考讯号产生一直流偏压,并将该直流偏压输出给该光强度调变器。9.如申请专利范围第8项所述之具最佳消光比之光强度调变系统,更包括一脉冲产生器,用以产生一脉冲讯号,分别给该光振幅调变器产生光脉波,以及给该讯号处理器,做为触发讯号。10.如申请专利范围第8项所述之具最佳消光比之光强度调变系统,其中该讯号处理器更包括一放大器,用以将该光接收器所输出之该电脉波放大。11.如申请专利范围第8项所述之具最佳消光比之光强度调变系统,其中该直流偏压产生器更包括:一控制装置,用以依据该讯号处理器所输出之该数位参考讯号,产生一控制讯号;以及一直流偏压供应器,依据该控制讯号产生一直流偏压値,并将该直流偏压値输出至该光强度调变器。12.一种光纤感测系统,包括:一连续波雷射光源,用以产生一连续波雷射光源;一光强度调变器,用以接收该连续波雷射光源,并输出一光脉波;一分光器,用以接收该光脉波,并且将该光脉波分解成一第一光脉波与一第二光脉波;一光接收器,用以接收该第一光脉波,并且将光脉波转换为一电脉波;一讯号处理器,用以接收该光接收器所输出之该电脉波,并且对该电脉波进行数位化处理,产生一数位参考讯号;一直流偏压产生器,耦接该讯号处理器,并依据该讯号处理器所输出之该数位参考讯号产生一直流偏压,而将该直流偏压输出给该光强度调变器;一脉冲产生器,用以产生一脉冲讯号,分别给该光强度调变器产生光脉波,以及给该讯号处理器,做为触发讯号;以及一光纤感测装置,用以接收该分光器所输出之该第二光脉波。13.如申请专利范围第12项所述之光纤感测系统,其中该光纤感测装置更包括:一光放大器,用以接收该第二光脉波,并输出该第二光脉波之放大讯号;以及一分时多工(TDM)光纤感测器阵列,耦接于该光放大器,用以接收被该光放大器放大的输出讯号。14.如申请专利范围第12项所述之光感测系统,其中该讯号处理器更包括一放大器,用以将该光接收器所输出之该电脉波放大。15.如申请专利范围第12项所述之光纤感测系统,其中该直流偏压产生器更包括:一控制装置,用以依据该讯号处理器所输出之该数位参考讯号,产生一控制讯号;以及一直流偏压供应器,依据该控制讯号产生一直流偏压値,并将该直流偏压値输出至该光强度调变器与该控制装置。16.如申请专利范围第12项所述之光纤感测系统,其中该分光器系光纤耦合器。17.如申请专利范围第12项所述之光纤感测系统,其中该光放大器系掺饵光纤放大器(erbium doped fiber amplifier,EDFA)。18.如申请专利范围第12项所述之光纤感测系统,其中该光放大器系半导体光纤放大器。图式简单说明:第一图绘示依据本发明之具最佳消光比之光强度调变系统的架构示意图;第二图绘示光接收器所输出之波形;第三图A绘示第二图之波形放大后,脉波上升端前缘附近的波形图;第三图B绘示第三图A之波形经多次平均后脉波上升端前缘附近的波形图;第四图分别绘示所加直流偏压VBIAS与最佳化的値具有一小误差的第三图B之曲线与直流偏压产生器之回授控制起动后,直流偏压VBIAS达到最佳化値的第三图B之曲线;第五图绘示在此实施例的实验中,最佳化直流偏压VBIAS在一长时间(162小时)下的变化;以及第六图A与第六图B绘示本发明之具最佳化消光比之光强度调变系统的操作方法流程图。 |
