发明名称 CMOS摄像设备
摘要 CMOS摄像设备含有第一及第二晶片,该第一晶片具有一CMOS影像感测器、一类比至数位转换电路、以及一提供第一及第二差动输出之CMOS驱动器电路形成于其上。该第二晶片含有一CMOS数位信号处理器及复数个 CMOS接收器电路,各具有一对差动输入,适合于连接至该第一晶片之复数个差动输出以形成一串联之低电压差动发信号电路。本发明之实行会促成含有至少一百万个光线响应之像素影像感测器之CMOS影像感测器之实现,其中资料系以30MHz或更高之资料速率转移于该CMOS影像感测器与该CMOS影像处理器之间。
申请公布号 TW420943 申请公布日期 2001.02.01
申请号 TW088105175 申请日期 1999.04.01
申请人 寇纳桑系统公司 发明人 费瑞古纳万;狄诺D 托塔
分类号 H04N5/335 主分类号 H04N5/335
代理机构 代理人 林镒珠 台北市长安东路二段一一二号九楼
主权项 1.一种CMOS摄像设备,其包含:一CMOS影像感测器;一CMOS影像处理器;以及复数个低电压差动发信号电路,连接于该影像感测器与该影像处理器之间。2.如申请专利范围第1项之设备,其中各该复数个低电压差动发信号路含有:一CMOS驱动器电路;一CMOS接收器电路;以及一对传输线路,互连该驱动器电路与该接收器电路。3.如申请专利范围第2项之设备,其中该CMOS影像感测器容纳至少一百万个光线响应之像素影感测器。4.如申请专利范围第3项之设备,其中各该复数个低电压差动发信号电路含有用于以30MHz或更高之资料速率转移资料于该CMOS影像感测器与该CMOS影像处理器之间。5.如申请专利范围第4项之设备,其中该复数个低电压差动发信号电路含有至少10个低电压差动发信号电路。6.如申请专利范围第5项之设备,其中该CMOS影像感测器与该CMOS驱动器电路系形成于一第一矽电路晶片之上。7.如申请专利范围第6项之设备,其中该CMOS影像处理器与该CMOS接收器电路系形成一第二矽电路晶片之上。8.如申请专利范围第7项之设备,其中各对传输线路系驻留于位在该第一与第二电路晶片间之一表面上。9.如申请专利范围第2项之设备,其中各CMOS驱动器电路接收一来自一类比至数位转换电路之数位输入信号。10.如申请专利范围第8项之设备,其中各CMOS驱动器电路接收一来自一类比至数位转换电路之数位输入信号。11.一种CMOS摄像设备,其包含:一第一矽基板晶片,具有一CMOS影像感测器形成于其上,该CMOS影像感测器含有一提供复数个数位像素信号値输出信号之类比至数位转换器电路,该晶片尚含有一CMOS驱动器电路,其接收一所选取之该复数个数位像素信号値输出信号之一作为输入且具有第一及第二差动输出。12.如申请专利范围第11项之CMOS摄像设备,尚含有:一第二矽基板电路晶片,具有一CMOS数位信号处理器形成于其上,该数位信号处理器具有复数个输入,连接于复数个CMOS接收器电路之个别输出,各CMOS接收器电路具有一对差动输入,适合于连接至该复数个差动输出。13.如申请专利范围第12项之CMOS摄像设备,尚含有一对传输线路,连接于各个配对之差动输出与差动输入之间。14.如申请专利范围第12项之设备,其中该CMOS影像感测器容纳至少一百万个光线响应之像素影感测器。15.如申请专利范围第12项之设备,其中该复数个CMOS驱动器电路与对应的CMOS接收器电路含有用于以30MHz或更高之资料速率转移资料于该CMOS影像感测器与该CMOS数位信号处理器之间。16.如申请专利范围第12项之设备,其中该复数个CMOS驱动器电路与对应的CMOS接收器电路包含至少10个低电压差动发信号电路。17.一种影像处理方法,其包含下列步骤:利用复数个CMOS影像感测像素产生一类比影像信号;类比至数位转换该类比影像信号以形成复数个数位像素値输出信号;以及透过复数个低电压差动发信号电路转移该数位像素値信号至一数位影像处理器。18.如申请专利范围第17项之方法,其中选取该等低电压差动电路之个别一电路来转移一相对应之该等数位信号像素値信号之一。图式简单说明:第一图系低电压差动发信号电路之电路图;以及第二图系本发明之较佳实施例之详细说明。
地址 美国