发明名称 PROCEDIMENTO PER LA ANODIZZAZIONE SELETTIVA IN DUE FASI DI UNO STRATODI SEMICONDUTTORE PER LA FORMAZIONE DI SILICIO POROSO.
摘要
申请公布号 ITRM990497(A1) 申请公布日期 2001.02.02
申请号 IT1999RM00497 申请日期 1999.08.02
申请人 SHINE SPA 发明人 BALUCANI MARCO;BONDARENKO VITALY;DOLGYI LEONID;FERRARI ALDO;LAMEDICA GIULIO;YAKOVTSEVA VALENTINA
分类号 H01L21/306;H01L21/762 主分类号 H01L21/306
代理机构 代理人
主权项
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