| 主权项 |
1.一种薄片型电阻器之构造,系在上面以覆盖涂层形成被覆的电阻膜之薄片型绝缘基板的左右两端部上,形成由:形成能导通于前述电阻膜之主上面电极、和在此主上面电极的上面将其覆盖而厚厚地形成的补助上面电极、和形成于绝缘基板之端面的侧面电极、和形成于这些补助上面电极及侧面电极的表面的金属电镀层等,所构成的端子电极的薄片型电阻器中,在该补助上面电极设使主上面电极的一部分露出之部份,而此露出部分的主上面电极的表面,亦形成前述金属电镀层为特征者。2.如申请专利范围第1项之薄片型之电阻器之构造,其中前述补助上面电极系形成于自前述绝缘基板之左右两侧面伸入至内侧以内之领域为特征者。图式简单说明:第一图为本创作之薄片型电阻器之斜视图。第二图为第一图之Ⅱ-Ⅱ线所视之放大剖面图。第三图为第一图之Ⅲ-Ⅲ线所视之放大剖面图。第四图为第一图之Ⅳ-Ⅳ线所视之放大剖面图。第五图为本创作之薄片型电阻器之部份切部平面图。第六图表示制造本创作之薄片型电阻器时之第1状态之斜视图。第七图表示制造本创作之薄片型电阻器时之第2状态之斜视图。第八图表示制造本创作之薄片型电阻器时之第3状态之斜视图。第九图表示制造本创作之薄片型电阻器时之第4状态之斜视图。第十图表示制造本创作之薄片型电阻器时之第5状态之斜视图。第十一图表示本创作之其他例之斜视图。第十二图表示本创作之其他例之斜视图。第十三图表示本创作之其他例之斜视图。第十四图表示本创作之其他例之斜视图。第十五图先前技术之薄片型电阻器之斜视图。第十六图为第十五图之XⅥ-XⅥ线所视之放大剖面图。第十七图表示先前技术之薄片型电阻器制造时之第1状态之斜视图。第十八图表示先前技术之薄片型电阻器制造时之第2状态之斜视图。第十九图表示先前技术之薄片型电阻器制造时之第3状态之斜视图。第二十图表示先前技术之薄片型电阻器制造时之第4状态斜视图。 |
